Transistor de silicio

Cambio rápido a 263 7N90A0 Silicon N-Channel MOSFET

USD 0.35 ~ USD 0.45

Silicon N-Channel Power MOSFET P/N: YZPST-7N90A0 Descripción general: YZPST-7N90A0 El canal de silicio N-canal mejorado VDMOSFET, se obtiene mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento del...

Cambio rápido de 500V N-canal MOSFET

USD 0.19 ~ USD 0.25

P/N: YZPST-SP13N50KF 500V N-canal potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS Conmutación rápida 100% de avalancha probada Capacidad de DV/DT mejorada Aplicaciones Fuente de alimentación del modo de interruptor (SMPS) Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS)...

Voltaje de bloqueo alto M1A080120L1 TO-247-4 N-canal SIC MOSFET

USD 4.2 ~ USD 4.5

Mosfet de potencia sic de canal N P/N: YZPST-M1A080120L1 Características Voltaje de bloqueo alto con baja resistencia Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia Fácil de paralelo y fácil de conducir Beneficios Mayor eficiencia del sistema...

TO-126 BD140-16 es Silicon Epitaxial Planar Transistores PNP Los tipos de NPN complementarios son los BD139-16

USD 0.02 ~ USD 0.03

Transistor de silicio PNP YZPST-BD140-16 TO-126 BD140-16 es Silicon Epitaxial Planar Transistores PNP Los tipos de NPN complementarios son los BD139-16 DESCRIPCIÓN El BD140-16 es transistores PNP planares epitaxiales de silicio En el paquete de...

USD 0.06 ~ USD 0.08

Transistor NPN 2SC5200 complementario a 2SA1943 TO-3PL

USD 1.15 ~ USD 1.5

Transistor de tipo NPN 2SC5200 1. Outline 2SC5200 es transistor de tipo NPN, complementario a 2SA1943, utilizado en circuitos de amplificación de potencia de audio y conversión de potencia. Formulario de embalaje: TO-3PL 2. Características...

USD 0.02 ~ USD 0.03

TO20F 2SA1930 Silicon PNP Transistor High FT Par Par Par con 2SC5171

USD 0.65 ~ USD 0.95

Transistor PNP de silicio en un paquete de plástico TO20F. P/N: YZPST-2SA1930 Transistor PNP de silicio en un paquete de plástico TO20F. Características Alto FT, par complementario con 2SC5171. TO20F 2SA1930 Silicon PNP Transistor High FT Par Par...

SS8550 TO-92 Transistores de plástico de plástico NPN

USD 8 ~ USD 9.5

TO-92 transistores de plástico-encapsulado Transistor YZPST-SS8550 (PNP) Características Disipación de potencia PC: 1W (TA = 25 ℃) O RDER I NG No _ _ _ _ _ _ Máx. 1 mamá Rata 1 ngs ( T a = 25 ℃ a menos que de lo contrario notado ) T a = 25 ℃ a menos...

650V 100A Tecnología de parada de campo de trinchera IGBT

USD 3.5 ~ USD 4.5

Zanja Tecnología de parada de campo IGBT YZPST-D100H065AT1S3 Características 650V, 100A VCE (SAT) (Typ.) =1.75v@vge=15V, IC = 100A Temperatura máxima de unión 175 Placas de plomo sin PB; RoHS Aplicaciones Convertidores solares Suministro de energía...

BC556 BC557 BC558 TO-92 NPN de transistor de plástico de plástico

USD 7.2 ~ USD 8.8

TO-92 transistores de plástico-encapsulado Transistor YZPST-BC556 / BC557 / BC558 (PNP) CARACTERÍSTICAS Alto voltaje Complemento a BC546, BC547, BC548 Pedido INFORMACIÓN MÁXIMO Calificaciones ( t a = 25 τ a menos que de lo contrario anotado ) T a =...

S9013 TO-92 Transistor NPN complementario a S9012

USD 8.1 ~ USD 9.5

TO-92 transistores de plástico-encapsulado Transistor YZPST-S9013 (NPN) CARACTERÍSTICAS Complementario a S9012 Excelente linealidad de Hfe INFORMACIÓN SOBRE PEDIDOS Calificaciones máximas (ta = 25 ℃ a menos que se indique lo contrario) T a = 25 ℃ a...

Alto voltaje a 92 Transistor de plástico de plástico NPN BC556 BC557 BC558

USD 7.2 ~ USD 8.8

TO-92 transistores de plástico-encapsulado Transistor YZPST-BC546 / BC547 / BC548 (NPN) CARACTERÍSTICAS Alto voltaje Complemento a BC556, BC557, BC558 Pedido INFORMACIÓN MÁXIMO Calificaciones ( t a = 25 τ a menos que de lo contrario anotado ) T a =...

TO-92 TRANSISTOR DE PLÁSCO PNP Transistor 2N3906

USD 6.9 ~ USD 8.5

TO-92 transistores de plástico-encapsulado Transistor YZPST-2N3904 (NPN) CARACTERÍSTICA NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor para cambiar y Aplicaciones de amplificador Como tipo complementario, el transistor PNP 2N3906 es Recomendado Este...

Silicon PNP Darlington Power Transistor

USD 0.55 ~ USD 0.72

Silicon PNP Darlington Power Transistor YZPST-FW26025A Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPCIÓN · Alta ganancia de corriente de CC- : hfe = 5000 (min)@ ic = -2a · Voltaje de mantenimiento del colector-emisor : VCEO (SUS) = -100V (Min) ·...

Tecnología de parada de campo de trinchera de 600 V IGBT 6A

USD 0.28 ~ USD 0.33

Tecnología de parada en campo de trinchera IGBT YZPST-6H60CX1G3 Características 600 V, 6A V CE (sat) (típico) =1.75V@V GE = 15V, Yo C = 6A Bajo Q g Temperatura máxima de unión 175 ℃ Revestimiento de plomo sin Pb; RoHS Obediente Aplicaciones...

Conmutación de alta velocidad 600V 15A IGBT TO-220F

USD 0.48 ~ USD 0.68

Características 600 V, 15 A V CE (sat) (típico) =1.8V@V GE = 15V, I C = 15A Alta velocidad traspuesta Sistema superior eficiencia Apagado de corriente suave formas de onda Cuadrado RBSOA Descripción general Los IGBT de zanja YZPST ofrecen menores...

transistores de potencia de silicio complementarios 2N3055 / MJ2955

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transistores de potencia de silicio complementarios 2N3055 / MJ2955 DESCRIPCIÓN El 2N3055 es un transistor NPN planar de base epitaxial de silicio montado en una caja metálica Jedec TO-3. Está diseñado para circuitos de conmutación de potencia,...

Transistores de plástico encapsulado BFR93A de alta frecuencia de transición

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Transistores de plástico encapsulado BFR93A de alta frecuencia de transición Transistores encapsulados en plástico YZPST-BFR93A Caracteristicas 1. Alta frecuencia de transición . (Typ.f T = 1.5GHz) 2.Pequeño rbb`Cc y alto ganancia (Typ.4ps) 3....

Transistor transitorio de baja tapacitance SMC Series 1500W

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Transitorios de baja capacidad de la serie SMC 1500W Supresor de voltaje YZPST-SMCJ (G) LCE7.5A-TVS Descripción del producto DESCRIPCIÓN: Esta familia de productos de supresor de voltaje transitorio (TVS) de montaje en superficie de alta...

Transistor de potencia de bajo voltaje de uso general BD139

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Transistor de baja tensión complementario YZPST-BD139 Caracteristicas ■ Los productos son preseleccionados en ganancia de corriente continua. Solicitud ■ propósito general Descripción Estos transistores planares epitaxiales se montan en el paquete...

85A encendedor de cigarrillos electrónico Mosfet Load 85N03

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Encendedor de cigarrillos electronico Mosfet YZPST-85N03 85A Encendedor electrónico Mosfet Interruptor de carga Mosfet 85N03 Notas: 1. Prueba de pulso: Ancho de pulso ≦ 300μs, Ciclo de trabajo ≦ 2%. 2. RΘJA es la suma de la resistencia térmica de la...

Encendedor electronico 30V Mosfet 80N03

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Encendedor de cigarrillos electronico Mosfet YZPST-80N03 Notas: 1. Los datos probados por superficie montados en una placa FR-4 de 1 pulgada2 con cobre 2OZ. 2. Los datos probados por pulsos, ancho de pulso ≦ 300us, ciclo de trabajo ≦ 2% 3. Los datos...

A 126 transistores npn transistores equivalentes

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Transistores de plástico encapsulados TO-126 YZPST-FJE5304 Interruptor de alimentación de alta velocidad de alto voltaje Solicitud • Área de operación amplia y segura • Diodo de rueda libre incorporado • Adecuado para la aplicación de lastre...