YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Cambio rápido de 500V N-canal MOSFET
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$0.255000-19999 Piece/Pieces

$0.19≥20000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Express,Others
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-SP13N50K

Lugar De Origenporcelana

PackageTO-220

VDSS500V

ID13A

IDM52A

VGSS±30V

EAS550mJ

EAR65mJ

PD60W

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Ejemplo de una imagen :
Descargar :
MOSFET N-CANAL SP13N50K TO220
Descripción
P/N: YZPST-SP13N50KF
500V N-canal potencia MOSFET
CARACTERÍSTICAS
Conmutación rápida
100% de avalancha probada
Capacidad de DV/DT mejorada
Aplicaciones
Fuente de alimentación del modo de interruptor (SMPS)
Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS)

Corrección del factor de potencia (PFC)

Yzpst Sp13n50k To 220 Jpg

Device Ordering Marking Packing Information

 

Ordering Number

 

Package

 

Marking

 

Packing

 

SP13N50KF

 

TO-220

 

SP13N50KF

Tube


Absolute Maximum Ratings  TC  = 25ºC, unless otherwise noted
Value
Parameter Symbol TO-220 Unit
Drain-Source Voltage (VGS  = 0V) VDSS 500 V
Continuous Drain Current ID 13 A
Pulsed Drain Current                                           (note1) IDM 52 A
Gate-Source Voltage VGSS ±30 V
Single Pulse Avalanche Energy                         (note2) EAS 550 mJ
Repetitive Avalanche Energy                             (note1) EAR 65 mJ
Power Dissipation (TC  = 25ºC) PD 60 W
Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg -55~+150 ºC
Caution: Stresses greater than those listed in the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.
Thermal Resistance
Value
Parameter Symbol TO-220 Unit
Thermal Resistance, Junction-to-Case RthJC 2.1 ºC/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RthJA 100

苏ICP备05018286号-1
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