Contactar Proveedor

Mr. John chang

Deja un mensaje

Contactar ahora

Te podría gustar

Precio de fábrica del transformador de soldadura de resistencia de inversor de media frecuencia 100KVA Contactar ahora

Transformador de soldadura de resistencia de media frecuencia de calidad 6KA Contactar ahora

Transformador de soldadura de resistencia de inversor de media necesidad 7KA Contactar ahora

Transformador de soldadura de resistencia de inversor de media frecuencia 22KA Contactar ahora

Venta 500V transformador de soldadura de resistencia de media frecuencia de inversor Contactar ahora

Venta de transformadores de soldadura de resistencia de inversor de media frecuencia 22KA Contactar ahora

Transformador de soldadura de resistencia de media frecuencia 1000Hz Contactar ahora

Transformador de soldadura de resistencia de inversor de frecuencia media de 18KA Contactar ahora

 

Controlador de potencia de tiristor C712L KT55CT

$80

1-99
Piece/Pieces
$40

≥100
Piece/Pieces

Payment Type:

L/C,T/T,Paypal

Incoterm:

FOB,CFR,CIF

Min. Order:

1 Piece/Pieces

Delivery Time:

30 Days

Transportation:

Ocean,Air

Port:

Shanghai

Contactar ahora

 Chatear Ahora

DDescripción

Product Attributes
Supply Ability & Additional Informations

< >

Overview

Product Attributes

Modelo: YZPST-C712L

Marca: YZPST

Supply Ability & Additional Informations

productividad: 1000

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85413000

Hafen: Shanghai

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal

Incoterm: FOB,CFR,CIF

Plazo de entrega: 30 días

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE INVERSOR Y CHOPPER

YZPST-C712L

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de compuerta de amplificación central

. Capacidad de bloqueo de hasta 2100 voltios

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

Bloqueo - Estado desactivado

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
2000	2000	2100

V _RRM = voltaje inverso de pico repetitivo

V _DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V _RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

20 mA

90 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

800 V/msec

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 ^o C a menos que

se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 ^o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 ^o C.

(4) Valor mínimo para lineal y exponencial

forma de onda al 80% nominal V _DRM . Puerta abierta.

Tj = 125 ^o C.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con

con EIA / NIMA Standard RS-397, Sección

5-2-2-6. El valor definido sería adicional

ción a la obtenida de un circuito amortiguador,

que comprende un condensador de 0.2 mF y 20 ohmios

resistencia en paralelo con el thristor debajo

prueba.

Conducción - en estado

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		1185		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=80^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		1700		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 18500		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		1.66x10⁶		A²s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		-		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		1.45		V	I_TM = 1000 A; Duty Cycle £ 0.01%; T_j =1 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		800		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		100		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		- 120 -		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		- 3.0 -		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		20		V

Dinámica

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d		-	0.7	ms	I_TM = 50 A; V_D = Rated V_DRM Gate pulse: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -50 V)	t_q		40	-	ms	I_TM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% V_DRM; V_G = 0; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery charge	Q_rr		*		mC	I_TM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; V_R ³ -50 V

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES HERMALES Y MECÁNICAS

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+125		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		0.023 -		^oC/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		0.0075 -		^oC/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	22.2	26.6		kN
Weight	W			-	g	About