Contactar Proveedor? Proveed
John chang Mr. John chang
¿Qué puedo hacer por ti?
Chatear Ahora Contactar Proveedor

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Lista de Productos

Home > Lista de Productos > Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor > Controlador de potencia de tiristor C712L KT55CT

Controlador de potencia de tiristor C712L KT55CT
Controlador de potencia de tiristor C712L KT55CT
Controlador de potencia de tiristor C712L KT55CT
Controlador de potencia de tiristor C712L KT55CT

Controlador de potencia de tiristor C712L KT55CT

Precio unitario: USD 40 - 80 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-C712L

    Tipo: Semiconductor intrínseco

    VRRM: 2000V

    VDRM: 2000V

    VRSM: 2100V

    IRRM / IDRM: 20 MA/90 MA

    DV/dt: 800 V/sec

Información adicional

    productividad: 1000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE INVERSOR Y CHOPPER

YZPST-C712L

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de compuerta de amplificación central

. Capacidad de bloqueo de hasta 2100 voltios

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión


Bloqueo - Estado desactivado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

  2000

 2100

V RRM = voltaje inverso de pico repetitivo

V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

20 mA

90 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

800 V/msec

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que

se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para lineal y exponencial

forma de onda al 80% nominal V DRM . Puerta abierta.

Tj = 125 o C.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con

con EIA / NIMA Standard RS-397, Sección

5-2-2-6. El valor definido sería adicional

ción a la obtenida de un circuito amortiguador,

que comprende un condensador de 0.2 mF y 20 ohmios

resistencia en paralelo con el thristor debajo

prueba.

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

1185

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=80oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1700

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18500

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.66x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

-

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.45

 

V

ITM = 1000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =1 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

800

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

100

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

120

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

20

 

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

0.7

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

40

-

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

*

 

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES HERMALES Y MECÁNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+125

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.023

-

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

0.0075

-

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

22.2

26.6

 

kN

 

Weight

W

 

 

-

g

About

YZPST-C712L




PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor

Realizar consulta

John chang

Mr. John chang

Número de Teléfono:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Móvil:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Email:info@yzpst.com

Dirección: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1