YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Inicio> Lista de Productos> Dispositivos de módulo de semiconductores> Módulo IGBT> Capacidad de cortocircuito alto 10US 1200V Módulo IGBT 450A
Capacidad de cortocircuito alto 10US 1200V Módulo IGBT 450A
Capacidad de cortocircuito alto 10US 1200V Módulo IGBT 450A
Capacidad de cortocircuito alto 10US 1200V Módulo IGBT 450A
Capacidad de cortocircuito alto 10US 1200V Módulo IGBT 450A
Capacidad de cortocircuito alto 10US 1200V Módulo IGBT 450A

Capacidad de cortocircuito alto 10US 1200V Módulo IGBT 450A

$1152-99 Piece/Pieces

$82≥100Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-450B120E53

MarcaYzpst

VCES1200V

IC450m

ICRM900m

VGES±20V

Ptot3000W

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Descargar :
Módulo IGBT YZPT-450B120E53
Descripción

YZPST-450B120E53

Módulo IGBT
Aplicaciones
Inversor para accionamiento de motor
Amplificador MC y DC Servo Drive
UPS (fuentes de alimentación ininterrumpidos)
Máquina de soldadura de conmutación suave

Fnaturns
VCE bajo (SAT) con tecnología SPT+
VCE (SAT) con coeficiente de temperatura positiva
Incluyendo FWD antiparalelo de recuperación rápida y suave
Capacidad alta de cortocircuito (10us)
Estructura del módulo de baja inductancia
1200V IGBT Module 450A

Maxmmum Ratmn absoluto


Parameter

Symbol

CondMtMons

Value

UnMt

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mm, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

450

m

Peak Collector Current

ICRM

ICRM =2IC

900

m

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

3000

W

IGBT CARACTRMSTMCS

Parameter

 

Symbol

 

CondMtMons

 

Value

 

UnMt

MMn.

Typ.

Max.

 

Gate-emitter Threshold Voltage

VGE(th)

VGE=VCE, IC =3mm,Tvj=25

5.0

6.2

7.0

V

 

Collector-Emitter Cut-off Current

 

ICES

VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25

 

 

1.0

mm

VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125

 

 

5.0

mm

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

VCE(sat)

Ic=450m,VGE=15V, Tvj=25

 

1.85

 

V

Ic=450m,VGE=15V, Tvj=125

 

2.05

 

V

Input Capacitance

Cies

 

VCE=25V,VGE =0V,

f=1MHz, Tvj=25

 

31.8

 

nF

Output Capacitance

Coes

 

2.13

 

nF

Reverse Transfer Capacitance

Cres

 

1.48

 

nF

Internal Gate Resistance

Rgint

 

 

0.7

 

Ω

Turn-on Delay Time

td(on)

 

 

IC =450 m VCE = 600 V VGE = ±15V RG =3.3Ω

Tvj=25

 

320

 

ns

Rise Time

tr

 

165

 

ns

Turn-off Delay Time

td(off)

 

650

 

ns

Fall Time

tf

 

124

 

ns

Energy Dissipation During Turn-on

Time

Eon

 

35

 

mJ

Energy Dissipation During Turn-off

Time

Eoff

 

42

 

mJ

Turn-on Delay Time

td(on)

 

 

 

IC =450m VCE = 600 V VGE = ±15V RG =3.3Ω

Tvj=125

 

350

 

ns

Rise Time

tr

 

193

 

ns

Turn-off Delay Time

td(off)

 

720

 

ns

Fall Time

tf

 

156

 

ns

Energy Dissipation During Turn-on

Time

Eon

 

55

 

mJ

Energy Dissipation During Turn-off

Time

Eoff

 

64

 

mJ

 

SC Data

 

Isc

Tp≤10us,VGE=15V, Tvj=150,Vcc=600V,

VCEM≤1200V

 

 

2100

 

 

m

Ÿ Paquete Dimensiones

1200V IGBT Module




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