YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Alta capacidad de cortocircuito 650V Módulo de alimentación IGBT 200a
Alta capacidad de cortocircuito 650V Módulo de alimentación IGBT 200a
Alta capacidad de cortocircuito 650V Módulo de alimentación IGBT 200a
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Alta capacidad de cortocircuito 650V Módulo de alimentación IGBT 200a

Alta capacidad de cortocircuito 650V Módulo de alimentación IGBT 200a

$3310-99 Piece/Pieces

$25≥100Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-SKM195GB066D

MarcaYzpst

Lugar De Origenporcelana

VCES650V

IC200A

ICRM400A

VGES±20V

Ptot695W

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. trenza
Ejemplo de una imagen :
Descargar :
Módulo IGBT SKM195GB066D
Descripción

Tipo de módulo de potencia IGBT: YZPST-SKM195GB066D


Aplicaciones

Inversor para motor

Amplificador de accionamiento de Servo AC y DC

UPS (fuentes de alimentación ininterrumpidas)

Máquina de soldadura de conmutación suave

Características

VCE bajo (SAT) con tecnología Trench Field-Stop

VCE (SAT) con coeficiente de temperatura positiva

Incluyendo FWD antiparalelo de recuperación rápida y suave

Capacidad de cortocircuito alto (10us)

Estructura del módulo de baja inductancia

Temperatura máxima de unión 175 ℃

650V IGBT Power Module 200A



Absoluto Máximo Calificaciones

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

650

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

200

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

400

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

695

W

Características de IGBT

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =3.2mA,Tvj=25 5.1 5.8 6.3 V
VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25 1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125 5 mA
Collector-Emitter Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25 1.45 1.95 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125 1.65 V
Input Capacitance Cies VCE=25V,VGE =0V, 12.3 nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25 0.37 nF
Internal Gate Resistance Rgint 1 Ω
Turn-on Delay Time td(on) 48 Ns
Rise Time tr IC =200 A 48 Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE =300 V 348 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 58 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 3.6Ω 2.32 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25 5.85 mJ
Turn-on Delay Time td(on) 48 Ns
Rise Time tr IC =200 A 48 Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 300V 364 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 102 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =3.6Ω 3.08 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125 7.92 mJ
SC Data Isc Tp≤10us,VGE=15V,Tvj=150 , Vcc=300V,VCEM≤650V 1000 A

Características de diodo

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Diode DC Forward Current IF Tc=100 200 A
Diode Peak Forward Current IFRM 400 A
IF=200A,Tvj=25 1.55 1.95 V
Forward Voltage VF IF=200A,Tvj=125 1.5 V
Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Recovered Charge Qrr 8.05 uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us 148 A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25 1.94 mJ
Recovered Charge Qrr 16.9 uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us 186 A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125 3.75 mJ

Características del módulo T C C = 25 ° C a menos que se especifique lo contrario

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
Maximum Junction Temperature Tjmax 150
Operating Junction Temperature Tvj op -40 125
Storage Temperature Tstg -40 125
per IGBT-inverter 0.19 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter 0.31 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied 0.085 K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5 5 N · m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3 5 N · m
Weight of Module G 150 g

Paquete Dimensiones

YZPST-SKM195GB066D Package Dimensions



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