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Categoría de productos de Diodo de perno de recuperación rápida, somos fabricantes especializados procedentes de China, Diodo de perno de recuperación rápida, Tipo Stud Diodo de recuperación rápida proveedores / fábrica, de alta calidad al por mayor productos de Diodo de recuperación rápida I + D y fabricación, tenemos el perfecto servicio y soporte técnico post-venta. Esperamos contar con su cooperación!
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Diodo de recuperación rápida de alta potencia
Marca: YZPST
Capacidad de suministro: 1000
Certificados : ISO9001-2008,ROHS
Modelo: YZPST-SD233N/R
Lugar de origen: CHINA
Diodo de recuperación FAST de alta potencia DIODOS DE RECUPERACIÓN RÁPIDA, Versión Stud Características : Serie de diodos de recuperación FAST de alta potencia, tiempo de recuperación de 1.0 a 2.0 μs, clasificaciones de alto voltaje de hasta 5000V, Capacidad de alta corriente, características de encendido y apagado...
Fast Recovery Stud Diode 1800V
Marca: YZPST
Capacidad de suministro: 10000
Certificados : ISO9001-2008,ROHS
Modelo: YZPST-Z20A-ZK20A18
Lugar de origen: China
Diodo rápido de buen rendimiento YZPST-Z20A-ZK20A18 Los diodos de recuperación rápida también se representan comúnmente mediante símbolos gráficos de diodos ordinarios, ya sea en texto o en tipo. Los diodos de recuperación rápidos son similares a los diodos ordinarios, pero el proceso de fabricación es diferente al de...
China Diodo de perno de recuperación rápida Proveedores
El diodo de recuperación rápida (FRD) es un diodo semiconductor con buenas características de conmutación y corto tiempo de recuperación inversa. Se utiliza principalmente para conmutar fuentes de alimentación, moduladores de ancho de pulso PWM, inversores y otros circuitos electrónicos como diodos rectificadores de alta frecuencia. Se usan diodos de rueda libre o amortiguadores. La estructura interna del diodo de recuperación rápida es diferente de la de un diodo de unión PN normal. Pertenece a un diodo de unión PIN, es decir, se agrega una región base I entre el material de silicio de tipo P y el material de silicio de tipo N para formar una oblea de silicio PIN. Como el área de la base es delgada y la carga de recuperación inversa es pequeña, el diodo de recuperación rápida tiene un tiempo de recuperación inverso corto, una baja caída de tensión directa y una tensión de ruptura inversa alta (resistencia al voltaje).
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