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Diodo de perno de recuperación rápida

Categoría de productos de Diodo de perno de recuperación rápida, somos fabricantes especializados procedentes de China, Diodo de perno de recuperación rápida, Diodo de recuperación rápida tipo espárrago proveedores / fábrica, de alta calidad al por mayor productos de Diodo de recuperación rápida I + D y fabricación, tenemos el perfecto servicio y soporte técnico post-venta. Esperamos contar con su cooperación!

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    • Diodo de recuperación rápida de alta potencia

    Diodo de recuperación rápida de alta potencia

    • Marca: YZPST

    • Capacidad de suministro: 1000

    • Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    • Modelo: YZPST-SD233N/R

    • Lugar de origen: CHINA

    Diodo de recuperación FAST de alta potencia DIODOS DE RECUPERACIÓN RÁPIDA, Versión Stud Características : Serie de diodos de recuperación FAST de alta potencia, tiempo de recuperación de 1.0 a 2.0 μs, clasificaciones de alto voltaje de hasta 5000V, Capacidad de alta corriente, características de encendido y apagado...

    • Fast Recovery Stud Diode 1800V

    Fast Recovery Stud Diode 1800V

    • Marca: YZPST

    • Capacidad de suministro: 10000

    • Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    • Modelo: YZPST-Z20A-ZK20A18

    • Lugar de origen: China

    Diodo rápido de buen rendimiento YZPST-Z20A-ZK20A18 Los diodos de recuperación rápida también se representan comúnmente mediante símbolos gráficos de diodos ordinarios, ya sea en texto o en tipo. Los diodos de recuperación rápidos son similares a los diodos ordinarios, pero el proceso de fabricación es diferente al de...

China Diodo de perno de recuperación rápida Proveedores

El diodo de recuperación rápida (FRD) es un diodo semiconductor con buenas características de conmutación y un tiempo de recuperación inverso corto. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas, moduladores de ancho de pulso PWM, inversores y otros circuitos electrónicos como diodos rectificadores de alta frecuencia. Se utilizan diodos de rueda libre o amortiguadores. La estructura interna del diodo de recuperación rápida es diferente a la de un diodo de unión PN ordinario. Pertenece a un diodo de unión PIN, es decir, se agrega una región de base I entre el material de silicio de tipo P y el material de silicio de tipo N para formar una oblea de silicio PIN. Dado que el área de la base es delgada y la carga de recuperación inversa es pequeña, el diodo de recuperación rápida tiene un tiempo de recuperación inverso corto, una caída de voltaje directa baja y un voltaje de ruptura inverso alto (voltaje de resistencia).

Fast Recovery Stud Diode

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