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Home > Lista de Productos > Dispositivos de espárragos semiconductores > Diodo de perno de recuperación rápida > Diodo de recuperación rápida de alta potencia

Diodo de recuperación rápida de alta potencia

Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-SD233N/R

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

productividad100

transporteOcean,Air

Lugar de origenCHINA

Capacidad de suministro1000

Certificados ISO9001-2008,ROHS

HS-Code85411000

HafenSHANGHAI

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Diodo de recuperación FAST de alta potencia

DIODOS DE RECUPERACIÓN RÁPIDA, Versión Stud

Características : Serie de diodos de recuperación FAST de alta potencia, tiempo de recuperación de 1.0 a 2.0 μs, clasificaciones de alto voltaje de hasta 5000V, Capacidad de alta corriente, características de encendido y apagado optimizados , recuperación de avance Lo w, recuperación de marcha atrás rápida y suave, encapsulación de compresión, versión de espárrago B-8, temperatura máxima de unión 125 ° C

Aplicaciones Típicas: Diodo amortiguador para GTO, recuperación rápida, aplicaciones rectificadoras


High Power FAST Recovery Diode YZPST-SD233NR (1)

High Power FAST Recovery Diode


Conducción hacia adelante


Parameters

PSTSD233N/R

Units

Conditions

IF(AV              Max. average forward current

 

@ Case temperature

250

A

180° conduction, half sine wave

60

°C

IF(RMX)           Max. RMS forward current

390

A

 

 

 

IFSM               Max. peak, one-cycle forward

 

non-repetitive surge current

5500

A

t = 10ms

No voltage

 

reapplied

Initial TJ =TJmax.

5760

A

t = 8.3ms

I2t             Maximum I2t for fusing

150000

A2s

t = 10ms

No voltage

 

reapplied

140000

A2s

t = 8.3ms

I2t          Maximum I2t for fusing

 

1500000

KA2√s

I2t for time tx = I2t x tx ;

 

0.1 tx 10ms, VRRM = 0V

VFM                Maximum forward voltage drop

3.0

V

TJ = 25 oC, IFM = 1200 (arm)

IRRM               Max. DC reverse current

10.0

μA

TJ = 25 oC, per diode at VRRM

Trr

5

μs




Tabla de contornos


High Power FAST Recovery Diode


PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de espárragos semiconductores > Diodo de perno de recuperación rápida

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