Fast Recovery Stud Diode 1800V

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Información básica

Modelo: YZPST-Z20A-ZK20A18

Información adicional

productividad: 1000

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 10000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85411000

Hafen: Shanghai

DDescripción

Diodo rápido de buen rendimiento

YZPST-Z20A-ZK20A18

Los diodos de recuperación rápida también se representan comúnmente mediante símbolos gráficos de diodos ordinarios, ya sea en texto o en tipo. Los diodos de recuperación rápidos son similares a los diodos ordinarios, pero el proceso de fabricación es diferente al de los tubos monopolo normales. La concentración de dopaje cerca del La unión PN es muy baja para obtener una mayor velocidad de conmutación y una menor caída de presión directa. Su tiempo de recuperación inverso es de 200 ~ 750 ns, alta velocidad hasta 10 ns.En comparación con el diodo schottky, su resistencia al voltaje es mucho mayor. Se utiliza principalmente como un elemento rectificador de alta velocidad, y como un diodo rectificador en la fuente de alimentación de conmutación y fuente de alimentación del inversor, a fin de reducir la pérdida de pérdida, mejorar la eficiencia y reducir el ruido

Conducción hacia adelante

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

1800

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

1900

V

Max. average forward current

IF(AV)

20

A

Sinewave,180o conduction,Tc=100oC

Max. RMS forward current

IF(RMS)

33

A

Nominal value; Tc=100oC

Max. peak, one-cycle forward,

non-repetitive surge current

IFSM

0.3

kA

10.0 msec (50Hz), half sinewave,

Tvj = Tvj max, VRM = 0.6VRRM

Maximum I2t for fusing

I2t

4.9

kA2s

Max. forward voltage drop

VF

2.15

V

IF = 650A; Tvj = Tvj max

Threshold voltage

VTO

1.1

V

IF < 500A

Slope resistance

rT

1.5

Especificaciones térmicas y mecánicas

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Repetitive peak reverse leakage and off state

IRRM

70

mA

Tvj = Tvj max

Operating temperature

Tj

-40

+140

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Maximum Reverse Recovery Time

Trr

2.2

μS

Reverse recovery charge

Qrr

870

μAc

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

0.26

oC/W

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

-

-

0.04

oC/W

Mounting force

P

20

Nm

± 20%

Weight

W

-

-

-

g

About

Case style

-

See Outline Table



Fast Recovery Diode Stud YZPST-Z20A-ZK20A18



PRODUCTOS POR GRUPO : Semiconductor Stud dispositivos > Diodo de perno de recuperación rápida

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  • Fast Recovery Stud Diode 1800V
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