YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de potencia IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de potencia IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de potencia IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de potencia IGBT
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YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de potencia IGBT
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YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de potencia IGBT

$31.510-99 Piece/Pieces

$23.5≥100Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-150B120F23

MarcaYzpst

Lugar De Origenporcelana

VCES1200V

IC150A

ICRM300A

VGES±20V

Ptot968W

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. trenza
Descargar :
Módulo IGBT 1200V150A 150B120F23
Descripción
Módulo de potencia IGBT YZPST-150B120F23
VCE = 1200V IC = 150A
Aplicaciones
Inversor para motor
Amplificador de accionamiento de Servo AC y DC
UPS (fuentes de alimentación ininterrumpidas)
Máquina de soldadura de conmutación suave
Características
VCE bajo (SAT) con tecnología Trench Field-Stop
VCE (SAT) con coeficiente de temperatura positiva
Incluyendo FWD antiparalelo de recuperación rápida y suave
Capacidad de cortocircuito alto (10us)
Estructura del módulo de baja inductancia

Temperatura máxima de unión 175 ℃

YZPST-150B120F23 IGBT Module


Absoluto Máximo Calificaciones

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

150

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

300

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

968

W

Características de IGBT

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =4mA,Tvj=25 5.2 6 6.8 V
VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25 1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125 5 mA
Collector-Emitter Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25 1.8 2.1 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125 2 V
Input Capacitance Cies 9.8 nF
Output Capacitance Coes VCE=25V,VGE =0V, 0.82 nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25 0.48 nF
Internal Gate Resistance Rgint 2.5 Ω
Turn-on Delay Time td(on) 185 Ns
Rise Time tr IC =150 A 55 Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE = 600 V 360 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 115 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 5.1Ω 15.4 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25 11.6 mJ
Turn-on Delay Time td(on) 200 Ns
Rise Time tr IC =150 A 60 Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 600 V 420 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 120 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =5.1Ω 23.2 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125 17 mJ
Tp≤10us,VGE=15V,
SC Data Isc Tvj=150,Vcc=600V, 500 A
VCEM≤1200V

Características de diodo

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Diode DC Forward Current IF Tc=100 150 A
Diode Peak Forward Current IFRM 300 A
IF=150A,Tvj=25 1.8 2.3 V
Forward Voltage VF IF=150A,Tvj=125 1.85 V
Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Recovered Charge Qrr 13.4 uC
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V 143 A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us 160 ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25 9.1 mJ
Recovered Charge Qrr 26.1 uC
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V 178 A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us 440 ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125 15.4 mJ

Características del módulo T C = 25 ° C a menos que se especifique lo contrario

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
Maximum Junction Temperature Tjmax 150
Operating Junction Temperature Tvjop -40 125
Storage Temperature Tstg -40 125
per IGBT-inverter 0.155 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter 0.292 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied 0.05 K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5 5 N·m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3 5 N·m
Weight of Module G 150 g

Paquete Dimensiones

YZPST-150B120F23 Dimensions



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