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  • Transistor de potencia SPTECH Silicon PNP Darlington
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Transistor de potencia SPTECH Silicon PNP Darlington

  • $0.72
    100-499
    Piece/Pieces
  • $0.55
    ≥500
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
100 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-FW26025A

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad100000

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro1000000

Certificados ISO9001-2015,ROHS

HS-Code85413000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Piece/Pieces
Tipo de paquete:
1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

Transistor de potencia de silicio PNP Darlington

YZPST-FW26025A

Transistor de potencia SPTECH Silicon PNP Darlington

DESCRIPCIÓN

· Alta ganancia de corriente DC

: hFE = 5000 (Min) @ IC = -2A

· Voltaje de mantenimiento del colector-emisor-

: VCEO (SUS) = -100V (Min)

· Variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y un funcionamiento confiable.

APLICACIONES

· Diseñado para equipos industriales lineales y de conmutación.

CLASIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta = 25 ℃)

SYMBOL

 

PARAMETER

 

VALUE

 

UNIT

 

VCBO

 

Collector-Base Voltage

 

-100

 

V

 

VCEO

 

Collector-Emitter Voltage

 

-100

 

V

 

VEBO

 

Emitter-Base Voltage

 

-5

 

V

 

IC

 

Collector Current-Continuous

 

-20

 

A

 

ICM

 

Collector Current-Peak

 

-40

 

A

 

IB

 

Base Current- Continuous

 

-0.5

 

A

 

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25

 

160

 

W

 

Tj

 

Junction Temperature

 

200

 

Tstg

 

Storage Temperature Range

 

-65~200

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

SYMBOL

 

PARAMETER

 

MAX

 

UNIT

 

Rth j-c

 

Thermal Resistance, Junction to Case

 

1.09

/W

CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS

TC = 25 ℃ a menos que se especifique lo contrario

 

SYMBOL

 

PARAMETER

 

CONDITIONS

 

MIN

 

TYP.

 

MAX

 

UNIT

 

VCEO(SUS)*

 

Collector-Emitter Sustaining Voltage

 

IC= -100mA, IB= 0

 

-100

 

 

 

V

 

VCE(sat)-1*

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -10A ,IB= -40mA

 

 

 

-2.0

 

V

 

VCE(sat)-2*

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -20A ,IB= -200mA

 

 

 

-3.0

 

V

 

VBE(sat)*

 

Base-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -20A ,IB= -200mA

 

 

 

-4

 

V

 

V BE(on)*

 

Base-Emitter On Voltage

 

IC= -10A ; VCE= -3V

 

 

 

-2.8

 

V

 

ICEO

 

Collector Cutoff current

 

VCE= -50V, IB= 0

 

 

 

-1

 

mA

 

ICEV

 

Collector Cutoff current(VBE=-1.5V)

VCE= -100V, IB= 0

 

 

-0.5

 

mA

VCE= -100V, IB= 0,Tc=150

-5

 

IEBO

 

Emitter Cutoff Current

 

VEB= -5V; IC= 0

 

 

 

-2

 

mA

 

hFE-1*

 

DC Current Gain

 

IC= -2A ; VCE= -3V

 

5000

 

 

 

 

hFE-2*

 

DC Current Gain

 

IC= -10A ; VCE= -3V

 

750

 

 

18000

 

 

hFE-3*

 

DC Current Gain

 

IC= -30A ; VCE= -3V

 

200

 

 


*: Prueba de pulso: ancho de pulso = 300us, ciclo de trabajo≤2%

YZPST-FW26025A-Outline




PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio

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