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Transistor de potencia SPTECH Silicon PNP Darlington
Transistor de potencia SPTECH Silicon PNP Darlington
Transistor de potencia SPTECH Silicon PNP Darlington
Transistor de potencia SPTECH Silicon PNP Darlington

Transistor de potencia SPTECH Silicon PNP Darlington

Precio unitario: USD 0.55 - 0.72 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 100 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días
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Información básica

    Modelo: YZPST-FW26025A

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 1000000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

Transistor de potencia de silicio PNP Darlington

YZPST-FW26025A

Transistor de potencia SPTECH Silicon PNP Darlington

DESCRIPCIÓN

· Alta ganancia de corriente DC

: hFE = 5000 (Min) @ IC = -2A

· Voltaje de mantenimiento del colector-emisor-

: VCEO (SUS) = -100V (Min)

· Variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y un funcionamiento confiable.

APLICACIONES

· Diseñado para equipos industriales lineales y de conmutación.

CLASIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta = 25 ℃)

SYMBOL

 

PARAMETER

 

VALUE

 

UNIT

 

VCBO

 

Collector-Base Voltage

 

-100

 

V

 

VCEO

 

Collector-Emitter Voltage

 

-100

 

V

 

VEBO

 

Emitter-Base Voltage

 

-5

 

V

 

IC

 

Collector Current-Continuous

 

-20

 

A

 

ICM

 

Collector Current-Peak

 

-40

 

A

 

IB

 

Base Current- Continuous

 

-0.5

 

A

 

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25

 

160

 

W

 

Tj

 

Junction Temperature

 

200

 

Tstg

 

Storage Temperature Range

 

-65~200

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

SYMBOL

 

PARAMETER

 

MAX

 

UNIT

 

Rth j-c

 

Thermal Resistance, Junction to Case

 

1.09

/W

CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS

TC = 25 ℃ a menos que se especifique lo contrario

 

SYMBOL

 

PARAMETER

 

CONDITIONS

 

MIN

 

TYP.

 

MAX

 

UNIT

 

VCEO(SUS)*

 

Collector-Emitter Sustaining Voltage

 

IC= -100mA, IB= 0

 

-100

 

 

 

V

 

VCE(sat)-1*

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -10A ,IB= -40mA

 

 

 

-2.0

 

V

 

VCE(sat)-2*

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -20A ,IB= -200mA

 

 

 

-3.0

 

V

 

VBE(sat)*

 

Base-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -20A ,IB= -200mA

 

 

 

-4

 

V

 

V BE(on)*

 

Base-Emitter On Voltage

 

IC= -10A ; VCE= -3V

 

 

 

-2.8

 

V

 

ICEO

 

Collector Cutoff current

 

VCE= -50V, IB= 0

 

 

 

-1

 

mA

 

ICEV

 

Collector Cutoff current(VBE=-1.5V)

VCE= -100V, IB= 0

 

 

-0.5

 

mA

VCE= -100V, IB= 0,Tc=150

-5

 

IEBO

 

Emitter Cutoff Current

 

VEB= -5V; IC= 0

 

 

 

-2

 

mA

 

hFE-1*

 

DC Current Gain

 

IC= -2A ; VCE= -3V

 

5000

 

 

 

 

hFE-2*

 

DC Current Gain

 

IC= -10A ; VCE= -3V

 

750

 

 

18000

 

 

hFE-3*

 

DC Current Gain

 

IC= -30A ; VCE= -3V

 

200

 

 


*: Prueba de pulso: ancho de pulso = 300us, ciclo de trabajo≤2%

YZPST-FW26025A-Outline




PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio

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Fax:86-514-87782297

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