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Transistores de plástico encapsulado BFR93A de alta frecuencia de transición
Transistores de plástico encapsulado BFR93A de alta frecuencia de transición
Transistores de plástico encapsulado BFR93A de alta frecuencia de transición
Transistores de plástico encapsulado BFR93A de alta frecuencia de transición

Transistores de plástico encapsulado BFR93A de alta frecuencia de transición

Precio unitario: USD 0.023 - 0.035 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1000 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-BFR93A

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 1000000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 1000000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

Transistores de plástico encapsulado BFR93A de alta frecuencia de transición

Transistores encapsulados en plástico

YZPST-BFR93A

Caracteristicas

1. Alta frecuencia de transición . (Typ.f T = 1.5GHz)

2.Pequeño rbb`Cc y alto ganancia (Typ.4ps)

3. Pequeño NF

4. Declaramos que el material del producto cumple con RoHS requisitos

CLASIFICACIONES MÁXIMAS (T A = 25 ° C a menos que se indique lo contrario)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

20

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

11

V

Emitter-base voltage

VEBO

3

V

Collector Current

IC

50

mA

Collector power dissipation

PC

0.2

W

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

-55~+150

°C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS ( T A = 25 ° C )

Parameter

Symbol

Min.

Typ

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

BVCBO

20

-

-

V

IC=10mA

Collector-emitter breakdown voltage

BVCEO

11

-

-

V

IC=1mA

Emitter-base breakdown voltage

BVEBO

3

-

-

V

IE=10mA

Collector cutoff current

ICBO

-

-

0.5

mA

VCB=10V

Emitter cutoff current

IEBO

-

-

0.5

mA

VEB=2V

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

-

-

0.5

V

IC/IB=10mA/5mA

DC current transfer ratio

hFE

56

-

120

-

VCE/IC=10V/5mA

Transition frequency

fT

1.4

3.2

-

GHz

VCE=10V, IE=-10mA, f=500MHz

Output capacitance

Cob

-

0.8

1.5

pF

VCB=10V, IE=0A, f=1MHz

Collector-base time constant

rbb`Cc

-

4

12

ps

VCB=10V, IC=10mA, f=31.8MHz

Noise factor

NF

-

3.5

-

dB

VCE=6V, IC=2mA, f=500MHz,Rg=50W







PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio

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Número de Teléfono:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Móvil:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Email:info@yzpst.com

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