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Home > Lista de Productos > Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio > Transistores de plástico encapsulado BFR93A de alta frecuencia de transición

Transistores de plástico encapsulado BFR93A de alta frecuencia de transición

  • $0.035
    1000-9999
    Piece/Pieces
  • $0.023
    ≥10000
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1000 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-BFR93A

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad1000000

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro1000000

Certificados ISO9001-2015,ROHS

HS-Code85413000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Piece/Pieces
Tipo de paquete:
1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

Transistores de plástico encapsulado BFR93A de alta frecuencia de transición

Transistores encapsulados en plástico

YZPST-BFR93A

Caracteristicas

1. Alta frecuencia de transición . (Typ.f T = 1.5GHz)

2.Pequeño rbb`Cc y alto ganancia (Typ.4ps)

3. Pequeño NF

4. Declaramos que el material del producto cumple con RoHS requisitos

CLASIFICACIONES MÁXIMAS (T A = 25 ° C a menos que se indique lo contrario)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

20

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

11

V

Emitter-base voltage

VEBO

3

V

Collector Current

IC

50

mA

Collector power dissipation

PC

0.2

W

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

-55~+150

°C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS ( T A = 25 ° C )

Parameter

Symbol

Min.

Typ

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

BVCBO

20

-

-

V

IC=10mA

Collector-emitter breakdown voltage

BVCEO

11

-

-

V

IC=1mA

Emitter-base breakdown voltage

BVEBO

3

-

-

V

IE=10mA

Collector cutoff current

ICBO

-

-

0.5

mA

VCB=10V

Emitter cutoff current

IEBO

-

-

0.5

mA

VEB=2V

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

-

-

0.5

V

IC/IB=10mA/5mA

DC current transfer ratio

hFE

56

-

120

-

VCE/IC=10V/5mA

Transition frequency

fT

1.4

3.2

-

GHz

VCE=10V, IE=-10mA, f=500MHz

Output capacitance

Cob

-

0.8

1.5

pF

VCB=10V, IE=0A, f=1MHz

Collector-base time constant

rbb`Cc

-

4

12

ps

VCB=10V, IC=10mA, f=31.8MHz

Noise factor

NF

-

3.5

-

dB

VCE=6V, IC=2mA, f=500MHz,Rg=50W







PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio

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Fax:86-514-87782297

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