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Encendedor electronico 30V Mosfet 80N03
Encendedor electronico 30V Mosfet 80N03

Encendedor electronico 30V Mosfet 80N03

Precio unitario: USD 0.23 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1000 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-80N03

    Tipo: Semiconductor intrínseco

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

Encendedor de cigarrillos electronico Mosfet

YZPST-80N03


VDSS 30V

RDS(ON) 4mΩ(max.)@ VGS=10V

RDS(ON) 6mΩ(max.)@ VGS=4.5V

ID 100A

 

 

 

 

 

 

Description

DFN5X6-8L

YZPST 80N03 uses advanced Trench technology and designs to provide excellent RDS(ONwith low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.

 

Applications

Features

Lithium-Ion Secondary Batteries

Load Switch

DC-DC converters and Off-line UPS

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Low Miller Charge

Low Input / Output Leakage


  Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)                                                         

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDSS

30V

V

Gate-Source Voltage

VGSS

±20V

V

Drain Current-Continuous @ TC=25 NOTE1, 6

 

ID

100

A

Drain Current-Continuous @ TC=100 NOTE1, 6

80

A

Drain Current-Continuous @ TA=25 NOTE1

 

ID

20

A

Drain Current-Continuous @ TA=100 NOTE1

15

A

Drain Current-Pulsed NOTE 2

IDM

216

A

Avalanche Current

IAS

53.8

A

Avalanche Energy NOTE 3

EAS

144.7

mJ

Maximum Power Dissipation @ TC=25 NOTE4

 

PD

69

W

Maximum Power Dissipation @ TA=25 NOTE4

2

W

Storage Temperature Range

TSTG

-55 to 150°C

°C

Operating Junction Temperature Range

TJ

-55 to 150°C

°C

  Thermal Resistance Ratings                                                                                                                    

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Maximum Junction-to-Ambient NOTE1

RθJA

Steady State

-

-

62

°C/W

Maximum Junction-to-Case NOTE1

RθJC

Steady State

-

-

1.8

°C/W

  Electrical Characteristics(TJ=25°C unless otherwise noted)                                                              

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V , IDS=250uA

30

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=24V, VGS=0V

-

-

1

uA

Gate-Source Leakage Current

IGSS

VGS=±20V , VDS=0V

-

-

±100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VGS=VDS, IDS=250uA

1.2

-

2.5

V

 

Drain-Source On-Resistance NOTE2

 

RDS(ON)

VGS=10V , IDS=30A

-

-

4

mΩ

VGS=4.5V , IDS=20A

-

-

6

mΩ

Forward Transconductance

gfs

VDS=5V , ID=30A

-

26.5

-

S

Gate Resistance

Rg

VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

-

1.4

-

Ω

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

Ciss

 

 

VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

-

3080

-

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

-

410

-

Reverse Transfer Capacitance

Crss

-

316

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

Td(on)

 

 

VDS=15V, VGS=10V, ID=15A , RGEM=3.3Ω

-

9.6

-

 

ns

Rise Time

tr

-

20.8

-

Turn-Off Delay Time

Td(off)

-

58

-

Fall Time

tf

-

16

-

Total Gate Charge at 4.5V

Qg

 

 

VDS=15V, IDS=15A, VGS=4.5V

-

32

-

 

 

nC

Gate to Source Gate Charge

Qgs

-

9.1

-

Gate to Drain "Miller" Charge

Qgd

-

12.2

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage 2

VSD

VGS=0V, IS=1A

-

-

1.0

V

Continuous Source Current NOTE1, 5

IS

 

VG=VD=0V , Force Current

-

-

100

A

Pulsed Source Current NOTE2,5

ISM

-

-

216

A

Notas:

1. Los datos probados por superficie montados en una placa FR-4 de 1 pulgada2 con cobre 2OZ.

2. Los datos probados por pulsos, ancho de pulso ≦ 300us, ciclo de trabajo ≦ 2%

3. Los datos de EAS muestran Max. clasificación. La condición de prueba es VDD = 25V, VGS = 10V, L = 0.1mH, IAS = 53.8A

4. La disipación de potencia está limitada por una temperatura de unión de 175

5. Los datos son teóricamente los mismos que ID y IDM, en aplicaciones reales, deben estar limitados por la disipación total de potencia.

6. La limitación actual del paquete es de 85A.W. Disipación.

Mosfet 80n03 (1)Mosfet 80n03 (2)Mosfet 80n03 (3)Mosfet 80n03 (4)


PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio

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