El poder mosfet smd 110в STC2326

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Información básica

Modelo: YZPST-STC2326

Información adicional

productividad: 1000

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 10000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85413000

Hafen: SHANGHAI

DDescripción

B Serie TA30 Triacs

YZPST-STC2326

DESCRIPCIÓN

El STC2326 es el transistor de efecto de campo de potencia de modo de mejora de canal N que se produce utilizando la tecnología de trincheras DMOS de densidad de células súper alta. El STC2326 se ha diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CC / CC mediante controladores de conmutación PWM sincrónicos o convencionales. Ha sido optimizado para una baja carga de puerta, bajo RDS (ON) y velocidad de conmutación rápida.

APLICACIONES

Sistema accionado

Convertidor DC / DC

Interruptor de carga

CARACTERISTICAS

110V / 3A, RDS (ON) = 310mΩ @ VGS = 10V

Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)

Excepcional resistencia a la conexión y máxima capacidad de corriente CC

Diseño de paquete SOT-23-6L

CONFIGURACIÓN DEL PIN (SOT-23-6L)

mosfet STC2326 (1)

Pin	Symbol	Description
1	D	Drain
2	D	Drain
3	G	Gate
4	S	Source
5	D	Drain
6	D	Drain

O RDER ING IN F O R M A T I O N

Part Number	Package	Part Marking
SPN2326S26RGB	SOT-23-6L	26YW

A B SOU L T E MA X I M U M R A T IN G S ( T A = 25 ℃ U n l e s s o t h e r w i s e n o e e d )

Parameter		Symbol	Typical	Unit
Drain-Source Voltage		VDSS	110	V
Gate –Source Voltage		VGSS	±20	V
Continuous Drain Current(TJ=150℃)	TA=25℃	ID	3.0	A
	TA=70℃		2.0
Pulsed Drain Current		IDM	10	A
Power Dissipation	TA=25℃	PD	2.0	W
	TA=70℃		1.3
Operating Junction Temperature		TJ	-55/150	℃
Storage Temperature Range		TSTG	-55/150	℃
Thermal Resistance-Junction to Ambient		RθJA	62.5	℃/W

Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ	Max.	Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage	V(BR)DSS	VGS=0V,ID=250uA	110			V
Gate Threshold Voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=250uA	1	2.0	2.5	V
Gate Leakage Current	IGSS	VDS=0V,VGS=±20V			±100	nA
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=80V,VGS=0V			1	uA
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=80V,VGS=0V TJ=125℃			5	uA
On-State Drain Current	ID(on)	VDS≥5V,VGS =10V	3.0			A
Drain-Source On-Resistance	RDS(on)	VGS= 10V,ID=3A		0.26	0.31	Ω
Forward Transconductance	gfs	VDS=10V,ID=3A		2.4		S
Diode Forward Voltage	VSD	IS=1A,VGS =0V			1.2	V
Dynamic
Total Gate Charge	Qg	VDS=80V,VGS=10V ID= 5A		9	13	nC
Gate-Source Charge	Qgs			2
Gate-Drain Charge	Qgd			1.4
Input Capacitance	Ciss	VDS=25,VGS=0V f=1MHz		508		pF
Output Capacitance	Coss			29
Reverse Transfer Capacitance	Crss			16.5
Turn-On Time	td(on)	VDD=50V,RL=10Ω ID=3A,VGEN=10V RG=3.3Ω		2		nS
Turn-On Time	tr			21.5
Turn-Off Time	td(off)			11.2
Turn-Off Time	tf			18.8