El poder mosfet smd 110в STC2326

    Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Plazo de entrega: 30 días

Información básica

Modelo: YZPST-STC2326

Información adicional

productividad: 1000

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 10000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85413000

Hafen: SHANGHAI

DDescripción

B Serie TA30 Triacs

YZPST-STC2326

DESCRIPCIÓN


El STC2326 es el transistor de efecto de campo de potencia de modo de mejora de canal N que se produce utilizando la tecnología de trincheras DMOS de densidad de células súper alta. El STC2326 se ha diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CC / CC mediante controladores de conmutación PWM sincrónicos o convencionales. Ha sido optimizado para una baja carga de puerta, bajo RDS (ON) y velocidad de conmutación rápida.

APLICACIONES


Sistema accionado

Convertidor DC / DC

Interruptor de carga


CARACTERISTICAS

110V / 3A, RDS (ON) = 310mΩ @ VGS = 10V

Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)

Excepcional resistencia a la conexión y máxima capacidad de corriente CC

Diseño de paquete SOT-23-6L


CONFIGURACIÓN DEL PIN (SOT-23-6L)

mosfet STC2326 (1)

Pin

Symbol

Description

1

D

Drain

2

D

Drain

3

G

Gate

4

S

Source

5

D

Drain

6

D

Drain

O RDER ING IN F O R M A T I O N

Part Number

Package

Part   Marking

SPN2326S26RGB

SOT-23-6L

26YW

A B SOU L T E MA X I M U M R A T IN G S ( T A = 25 ℃ U n l e s s o t h e r w i s e n o e e d )

Parameter

Symbol

Typical

Unit

 

Drain-Source Voltage

 

VDSS

 

110

 

V

Gate Source Voltage

 

VGSS

 

±20

 

V

 

Continuous Drain Current(TJ=150℃)

TA=25℃

 

ID

3.0

 

A

TA=70℃

2.0

 

Pulsed Drain Current

 

IDM

 

10

 

A

 

Power Dissipation

TA=25℃

 

PD

2.0

 

W

TA=70℃

1.3

 

Operating Junction Temperature

 

TJ

 

-55/150

Storage Temperature Range

TSTG

-55/150

Thermal Resistance-Junction to Ambient

RθJA

62.5

/W

 

Parameter

 

Symbol

 

Conditions

 

Min.

 

Typ

 

Max.

 

Unit

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

V(BR)DSS

VGS=0V,ID=250uA

110

 

 

V

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=250uA

1

2.0

2.5

Gate Leakage Current

IGSS

VDS=0V,VGS=±20V

 

 

±100

nA

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=80V,VGS=0V

 

 

1

uA

VDS=80V,VGS=0V TJ=125

 

 

 

5

On-State Drain Current

ID(on)

VDS5V,VGS =10V

3.0

 

 

A

Drain-Source On-Resistance

RDS(on)

VGS= 10V,ID=3A

 

0.26

0.31

Ω

Forward Transconductance

gfs

VDS=10V,ID=3A

 

2.4

 

S

Diode Forward Voltage

VSD

IS=1A,VGS =0V

 

 

1.2

V

Dynamic

Total Gate Charge

Qg

VDS=80V,VGS=10V ID= 5A

 

9

13

 

nC

Gate-Source Charge

Qgs

 

2

 

Gate-Drain Charge

Qgd

 

1.4

 

Input Capacitance

Ciss

VDS=25,VGS=0V

f=1MHz

 

508

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

 

29

 

Reverse Transfer Capacitance

Crss

 

16.5

 

Turn-On Time

td(on)

 

VDD=50V,RL=10Ω

ID=3A,VGEN=10V RG=3.3Ω

 

2

 

 

nS

tr

 

21.5

 

 

Turn-Off Time

td(off)

 

11.2

 

tf

 

18.8

 

mosfet STC2326 (2)mosfet STC2326 (3)


PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio

Imagen de Producto

  • El poder mosfet smd 110в STC2326
  • El poder mosfet smd 110в STC2326
Contactar proveedor
  • *Asunto:
  • *Mensajes:
    Su mensaje debe ser de entre 20 a 8,000 caracteres.
Contactar Proveedor?Proveed
John chang Mr. John chang
¿Qué puedo hacer por ti?
Chatear Ahora Contactar Proveedor