Contactar Proveedor? Proveed
John chang Mr. John chang
¿Qué puedo hacer por ti?
+8613805278321
Chatear Ahora
Chatear Ahora Contactar Proveedor

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Lista de Productos

Home > Lista de Productos > Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio > Transistor transitorio de baja tapacitance SMC Series 1500W

Transistor transitorio de baja tapacitance SMC Series 1500W

  • $5.6
    10-499
    Piece/Pieces
  • $4.8
    ≥500
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
10 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-SMCJ(G)LCE7.5A-TVS

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad100

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro500

Certificados ISO9001-2015,ROHS

HS-Code85413000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Piece/Pieces
Tipo de paquete:
1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico


Transitorios de baja capacidad de la serie SMC 1500W

Supresor de voltaje

YZPST-SMCJ (G) LCE7.5A-TVS



Descripción del producto

DESCRIPCIÓN:


Esta familia de productos de supresor de voltaje transitorio (TVS) de montaje en superficie de alta confiabilidad incluye un diodo rectificador en serie con y en la dirección opuesta al diodo de protección TVS primario. El circuito que se protege solo ve la baja capacitancia de 100 pF del diodo rectificador. Están disponibles en un paquete DO-215AB (ala de gaviota) o DO-214AB (J-bend) y están disponibles versiones compatibles con RoHS. La baja capacitancia de estos dispositivos TVS les permite aplicarse a la protección de señales de alta frecuencia y líneas de comunicación en entornos de conmutación inductiva o sistemas expuestos a los efectos secundarios de los rayos según IEC61000-4-5, así como RTCA / DO-160D o ARINC

429 para aviónica en el aire. También protegen contra ESD y EFT según IEC61000-4-2 e IEC61000-4-4.

CARACTERISTICAS:

² Baja capacitancia de 100 pF o Menos.

² Clasificación de inflamabilidad del compuesto de moldeo: UL94V-O.

² Dos terminaciones diferentes disponibles en curva C (curva J modificada con DO-214AB) o ala de gaviota (DO-215AB).

² Cribado disponible en referencia a MIL-PRF-19500. Consulte el Portafolio de productos plásticos cribados de alta confiabilidad para obtener más detalles sobre las opciones de cribado.

² versiones compatibles con RoHS disponible.

APLICACIONES / BENEFICIOS :

² 1500 vatios de potencia de pulso pico a 10/1000 µs.

² Baja capacitancia para protección de línea de datos de alta frecuencia a 1 Megahercio.

² Protección para líneas de velocidad de datos rápidas de aeronaves hasta forma de onda de nivel 5 4 y forma de onda de nivel 2 5A en

² RTCA / DO-160D (consulte también MicroNote 130) y ARINC 429 con velocidades de bits de 100 kb / s (por ARINC 429,

² Parte 1, par 2.4.1.1).

² IEC61000-4-2 ESD 15 kV (aire), 8 kV (contacto).

² IEC61000-4-5 (relámpago) como se detalla en los datos LCE6.5 a LCE170A sábana.

² línea T1 / E1 tarjetas

² Estaciones base, WAN y XDSL interfaces

² CSU / DSU equipo.

CLASIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS (T A = 25ºC, HR = 45% -75%, a menos que se indique lo contrario )

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage temperature range

Tstg

-65 to +150

Operating junction temperature range

Tj

-65 to +150

Thermal Resistance Junction-to-Lead (1)

JL

20

/W

Steady state power dissipation at TL=75

PM(AV)

5.0

W

Clamping Factor @ Full Rated Power

@ 50 % Rated Power

CF

1.4

1.30

 

Peak pulse power dissipation on 10/1000μs

waveform

PPP

1500

W

clamping (0 volts to V (BR) min.)

 

clamping

< 5x10 -9

S

Notas: 1. Unión típica al cable (pestaña) en el plano de montaje.

CALIFICACIÓN

YZPST-SMCJLCE7.5A-1

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA = 25 ℃)

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off

Voltage VWM

 

 

7.5

 

V

Maximum Reverse Leakage @VWM

ID

 

VD= VWM

 

 

 

250

 

μA

Breakdown Voltage

V (BR) @ I (BR)

I (BR)10mA

8.33

 

10.2

V

Maximum Capacitance

0 Volts,f = 1 MHz

 

 

100

pF

Maximum Peak Pulse Current

IPP@10/1000Amps

 

10/1000μs

 

100

 

 

 

A

Maximum Clamping

Voltage@IPP VC

10/1000μsITIPPM

 

 

12.9

V

Working Inverse Blocking

Voltage VWIB

 

 

75

 

V

Inverse Blocking Leakage

Current IIB

 

 

10

 

uA

Peak Inverse Blocking

Voltage VPIB

 

 

100

 

V







PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio

Descargar
Contactar proveedor
  • *A:
    Mr. John chang
  • *Mensaje:
    Su mensaje debe ser de entre 20 a 8,000 caracteres.

Realizar consulta

John chang

Mr. John chang

Número de Teléfono:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Móvil:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Email:info@yzpst.com

Dirección: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

Sitio movil

Inicio

Product

Whatsapp

Información de la Empresa

solicitar

苏ICP备05018286号-1