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Transistor transitorio de baja tapacitance SMC Series 1500W
Transistor transitorio de baja tapacitance SMC Series 1500W
Transistor transitorio de baja tapacitance SMC Series 1500W
Transistor transitorio de baja tapacitance SMC Series 1500W

Transistor transitorio de baja tapacitance SMC Series 1500W

Precio unitario: USD 4.8 - 5.6 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 10 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-SMCJLCE7.5A

    Tecnología de fabricación: Semiconductor optoelectrónico

    Material: Element Semiconductor

    Tipo: Semiconductor intrínseco

    Paquete: SMD

    Procesamiento de la señal: Simulación

    Solicitud: Refrigerador

    Modelo: ST

    Número de lote: 2010+

    PPP: 1500W

    PM(AV): 5.0W

    Tstg: -65 To +150℃

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción


Serie SMC 1500W Transitorios de baja capacitancia

Supresor de voltaje

YZPST-SMCJLCE7.5A


Descripción del producto

DESCRIPCIÓN:


Esta familia de productos de supresor de voltaje transitorio (TVS) de montaje en superficie de alta confiabilidad incluye un diodo rectificador en serie con y en la dirección opuesta al diodo de protección TVS primario. El circuito que se protege solo ve la baja capacitancia de 100 pF del diodo rectificador. Están disponibles en un paquete DO-215AB (ala de gaviota) o DO-214AB (J-bend) y están disponibles versiones compatibles con RoHS. La baja capacitancia de estos dispositivos TVS les permite aplicarse a la protección de señales de alta frecuencia y líneas de comunicación en entornos de conmutación inductiva o sistemas expuestos a los efectos secundarios de los rayos según IEC61000-4-5, así como RTCA / DO-160D o ARINC

429 para aviónica en el aire. También protegen contra ESD y EFT según IEC61000-4-2 e IEC61000-4-4.

CARACTERISTICAS:

² Baja capacitancia de 100 pF o Menos.

² Clasificación de inflamabilidad del compuesto de moldeo: UL94V-O.

² Dos terminaciones diferentes disponibles en curva en C (curva en J modificada con DO-214AB) o ala de gaviota (DO-215AB).

² Cribado disponible en referencia a MIL-PRF-19500. Consulte el Portafolio de productos plásticos cribados de alta confiabilidad para obtener más detalles sobre las opciones de cribado.

² versiones compatibles con RoHS disponible.

APLICACIONES / BENEFICIOS :

² 1500 vatios de potencia de pulso pico a 10/1000 µs.

² Baja capacitancia para protección de línea de datos de alta frecuencia a 1 Megahercio.

² Protección para líneas de velocidad de datos rápidas de aeronaves hasta forma de onda de nivel 5 4 y forma de onda de nivel 2 5A en

² RTCA / DO-160D (también vea MicroNote 130) y ARINC 429 con velocidades de bits de 100 kb / s (por ARINC 429,

² Parte 1, par 2.4.1.1).

² IEC61000-4-2 ESD 15 kV (aire), 8 kV (contacto).

² IEC61000-4-5 (relámpago) como se detalla en los datos LCE6.5 a LCE170A sábana.

² línea T1 / E1 tarjetas

² Estaciones base, WAN y XDSL interfaces

² CSU / DSU equipo.

CLASIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS (T A = 25ºC, HR = 45% -75%, a menos que se indique lo contrario )

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage temperature range

Tstg

-65 to +150

Operating junction temperature range

Tj

-65 to +150

Thermal Resistance Junction-to-Lead (1)

JL

20

/W

Steady state power dissipation at TL=75

PM(AV)

5.0

W

Clamping Factor @ Full Rated Power

@ 50 % Rated Power

CF

1.4

1.30

 

Peak pulse power dissipation on 10/1000μs

waveform

PPP

1500

W

clamping (0 volts to V (BR) min.)

 

clamping

< 5x10 -9

S

Notas: 1. Unión típica al cable (pestaña) en el plano de montaje.

CALIFICACIÓN

YZPST-SMCJLCE7.5A-1

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA = 25 ℃)

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off

Voltage VWM

 

 

7.5

 

V

Maximum Reverse Leakage @VWM

ID

 

VD= VWM

 

 

 

250

 

μA

Breakdown Voltage

V (BR) @ I (BR)

I (BR)10mA

8.33

 

10.2

V

Maximum Capacitance

0 Volts,f = 1 MHz

 

 

100

pF

Maximum Peak Pulse Current

IPP@10/1000Amps

 

10/1000μs

 

100

 

 

 

A

Maximum Clamping

Voltage@IPP VC

10/1000μsITIPPM

 

 

12.9

V

Working Inverse Blocking

Voltage VWIB

 

 

75

 

V

Inverse Blocking Leakage

Current IIB

 

 

10

 

uA

Peak Inverse Blocking

Voltage VPIB

 

 

100

 

V







PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio

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