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85A encendedor de cigarrillos electrónico Mosfet Load 85N03
85A encendedor de cigarrillos electrónico Mosfet Load 85N03

85A encendedor de cigarrillos electrónico Mosfet Load 85N03

Precio unitario: USD 0.299 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1000 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-85N03

    Tipo: Semiconductor intrínseco

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

Encendedor de cigarrillos electronico Mosfet

YZPST-85N03

85A Encendedor electrónico Mosfet Interruptor de carga Mosfet 85N03

VDSS30V

RDS(ON) 2.3mΩ(max.)@ VGS=10V

RDS(ON) 3.0mΩ(max.)@ VGS=4.5V

ID 85A

 

 

 

 

 

 

Description

DFN5X6-8L

YZPST85N03 uses advanced Trench technology and designs to provide excellent RDS(ONwith low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.

 

Applications

Features

Lithium-Ion Secondary Batteries

Load Switch

DC-DC converters and Off-line UPS

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Low Miller Charge

Low Input / Output Leakage


  Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)                                                         

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDSS

30V

V

Gate-Source Voltage

VGSS

±20V

V

Drain Current-Continuous @ TC=25 NOTE 3

 

ID

85

A

Drain Current-Continuous @ TC=100 NOTE 3

68

A

Drain Current-Pulsed NOTE 1

IDM

320

A

Avalanche Current, L=0.1mH

IAS

50

A

Avalanche Energy, L=0.1mH

EAS

125

mJ

Maximum Power Dissipation @ TC=25

 

PD

60

W

Maximum Power Dissipation @ TA=25

5.7

W

Storage Temperature Range

TSTG

-50 to 150°C

°C

Operating Junction Temperature Range

TJ

-50 to 150°C

°C

  Thermal Resistance Ratings                                                                                                                    

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Maximum Junction-to-Ambient NOTE2

RθJA

Steady State

-

-

22

°C/W

Maximum Junction-to-Case

RθJC

Steady State

-

-

2.1

°C/W

  Electrical Characteristics(TJ=25°C unless otherwise noted)                                                              

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V , IDS=250uA

30

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=30V, VGS=0V

-

-

1

uA

Gate-Source Leakage Current

IGSS

VGS=±20V , VDS=0V

-

-

±100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VGS=VDS, IDS=250uA

1.2

-

2.5

V

 

Drain-Source On-Resistance

 

RDS(ON)

VGS=10V , IDS=16A

-

1.75

2.3

 

mΩ

VGS=4.5V , IDS=16A

-

2.6

3.0

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

Ciss

 

 

VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz

-

5910

-

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

-

725

-

Reverse Transfer Capacitance

Crss

-

537

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

Td(on)

 

 

VDS=15V, VGS=10V, ID=1A , RGEM=3.3Ω

-

20

-

 

ns

Rise Time

tr

-

6.5

-

Turn-Off Delay Time

Td(off)

-

122

-

Fall Time

tf

-

15

-

Total Gate Charge at 4.5V

Qg

 

 

VDS=15V, IDS=16A, VGS=10V

-

54

-

 

 

nC

Gate to Source Gate Charge

Qgs

-

18

-

Gate to Drain "Miller" Charge

Qgd

-

20.5

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage

VSD

VGS=0V, IS=4A

-

-

1.3

V

Body Diode Reverse Recovery Time

trr

If=10A, dl/dt=100A/μs, TJ=25°C

-

46

-

ns

Body Diode Reverse Recovery Charge

Qrr

-

38

-

nC

Notas:

1. Prueba de pulso: Ancho de pulso ≦ 300μs, Ciclo de trabajo ≦ 2%.

2. RΘJA es la suma de la resistencia térmica de la unión a la caja y de la caja al ambiente, donde la referencia térmica de la caja se define como la superficie de montaje de la soldadura de los pasadores de drenaje. RΘJC está garantizado por diseño, mientras que RΘCA está determinado por el diseño de la placa del usuario. RΘJA se muestra a continuación para la operación de un solo dispositivo en FR-4 en

aire quieto.

3. La clasificación de corriente máxima está limitada por paquete.


Mosfet 85N03 (1)Mosfet 85N03 (2)Mosfet 85N03 (3)Mosfet 85N03 (4)



PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio

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