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Home > Lista de Productos > Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado por silicio (SCR) > Alta velocidad dv / dt 2P4M / WR0205 2A SCR sensibles

Alta velocidad dv / dt 2P4M / WR0205 2A SCR sensibles

  • $0.08
    100-999
    Piece/Pieces
  • $0.065
    ≥1000
    Piece/Pieces
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L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
100 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

MarcaYZPST

IT(RMS)2A

IGT≤200μA

VDRM/VRRM600V

Tstg-40~150℃

Tj-40~110℃

ITSM20A

I2t2A2s

Supply Ability & Additional Informations

PaquetePara obtener información más detallada sobre el producto y la transacción, comuníquese con nuestra dirección de correo electrónico: info@yzpst.com

productividad10000

transporteOcean,Air

Lugar de origenporcelana

Capacidad de suministro10000

Certificados ISO9001-2008,ROHS

HS-Code85413000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Piece/Pieces
Tipo de paquete:
Para obtener información más detallada sobre el producto y la transacción, comuníquese con nuestra dirección de correo electrónico: info@yzpst.com


2P4M / WR0205 2A SCR sensibles

YZPST-2P4M / WR0205

DESCRIPCIÓN:

La serie 2P4M 2A SCR proporciona una alta tasa dv / dt con una fuerte resistencia a la interfaz electromagnética.

Se recomiendan especialmente para su uso en disyuntores de corriente residual, cabello lacio, encendedor, etc.

YZPST-2P4M (WR0205) .jpg

PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS:

symbol

value

unit

IT(RMS)

2.0

A

IGT

≤200

μA

VDRM/VRRM

600

V

ÍNDICES ABSOLUTOS MÁXIMOS:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

2

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

ITSM

20

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

2

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)

dI/dt

50

A/μs

Peak gate current

IGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

YZPST-2P4M (WR0205) -2.jpg














PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado por silicio (SCR)

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