YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Transistor de tipo PNP de alta fiabilidad 2SA940
Transistor de tipo PNP de alta fiabilidad 2SA940
Transistor de tipo PNP de alta fiabilidad 2SA940
Transistor de tipo PNP de alta fiabilidad 2SA940
Transistor de tipo PNP de alta fiabilidad 2SA940

Transistor de tipo PNP de alta fiabilidad 2SA940

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-2SA940

MarcaYzpst

VCBO-150V

VCEO-150V

VEBO-5V

IC-1.5A

PTOT25W

Tj150℃

Tstg-55—150℃

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje de protección de plástico
Descargar :
Transistor de tipo PNP de alta fiabilidad YZPST-2SA940
Descripción


Transistor de tipo PNP 2SA940

Description:
El 2SA940 es un transistor de tipo PNP, utilizado como tubo de interruptor de alimentación para balastos electrónicos y lámparas electrónicas de ahorro de energía. Tiene las características de baja pérdida de conmutación, alta confiabilidad, buenas características de alta temperatura, velocidad de conmutación adecuada, alto voltaje de descomposición, baja fuga inversa, etc.
high reliability PNP Type Transistor 2SA940


ÍNDICES ABSOLUTOS MÁXIMOS

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

-150

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-150

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Continuous Collector Current

-1.5

A

PTOT

Total dissipation at Tcase=25 ℃

25

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Stora-1.5ge Temperature Range

-55150

Características eléctricas (TC = 25 ° C, a menos que se especifique lo contrario)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

V(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=-1mA

-150

 

 

V

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC=-1mA

-150

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE=-1mA

- 5

 

 

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB=-150V, IE=0

 

 

-5

μA

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE=-150V, IC=0

 

 

-5

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB=-5V, IC=0

 

 

-5

μA

hFE

DC Current Gain

VCE=-10V, IC=-0.5A

40

 

140

 

VCE(sat)

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=-0.5A, IB=-50mA

 

 

-0.85

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC=-0.5A, IB=-50mA

 

 

-1.5

V

a: tp300μs,δ≤2%

Datos mecánicos del paquete

TO220 PNP Type Transistor

苏ICP备05018286号-1
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