Alto voltaje 30TPS12 30A SCR TO-247
$0.861000-1999 Piece/Pieces
$0.7≥2000Piece/Pieces
Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transporte: | Ocean,Land |
Hafen: | SHANGHAI |
$0.861000-1999 Piece/Pieces
$0.7≥2000Piece/Pieces
Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transporte: | Ocean,Land |
Hafen: | SHANGHAI |
Modelo: YZPST-30TPS12
Marca: Yzpst
Lugar De Origen: porcelana
IGT: ≤35 mA
IT(RMS): 30 A, 30A
VRRM: 1200V
VDRM: 1200V
IT(AV): 20A
ITSM: 300A
I2t: 450A2s
DI /dt: 50A/μs
PG(AV): 1W
Unidades de venta | : | Piece/Pieces |
Tipo de paquete | : | 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. trenza |
Ejemplo de una imagen | : | |
Descargar | : |
30TPS12 tiristores P/N: YZPST-30TPS12
Alto voltaje 30TPS12 30A SCR TO-247
La serie 30TPS12 de alto voltaje de rectificadores controlados por silicio se diseñan específicamente para aplicaciones de conmutación de potencia media y control de fase. La tecnología de pasivación de vidrio utilizada tiene una operación confiable de hasta 125 ° C temperatura de unión. Las aplicaciones típicas están en rectificación de entrada (arranque suave) y estos productos están diseñados para usarse con diodos de entrada, interruptores y rectificadores de salida, que están disponibles en esquemas de paquetes idénticos .
Símbolo
Symbol |
Value |
IGT |
≤35 mA |
IT(RMS) |
30 A |
VRRM |
1200 V |
Calificaciones máximas absolutas i mum (TC = 25 ° C, a menos que se especifique lo contrario)
Symbol |
PARAMETER |
Value |
Unit |
V DRM |
Repetitive peak off-state voltage (Tj =25℃) |
1200 |
V |
VRRM |
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃) |
1200 |
V |
IT(AV) |
Average on-state current (180° conduction angle) |
20 |
A |
IT(RMS) |
RMS on-state current(full sine wave) |
30 |
A |
ITSM |
Non repetitive surge peak on-state current (180° conduction angle, F=50Hz ,TC=85℃) |
300 |
A |
I2t |
I2t for Fusing (t = 10 ms) |
450 |
A2s |
dI /dt |
Critical rate of rise of on-state current (I =2 ×IGT, tr ≤ 100 ns) |
50 |
A/μs |
IGM |
Peak Gate Current |
4 |
A |
PG(AV) |
Average Gate Power dissipation |
1 |
W |
Tstg |
Storage junction temperature range |
-40 ~ 150 |
°C |
TJ |
Operating junction temperature range |
-40 ~ 125 |
°C |
Symbol | Test Condition | Value | Unit | |
Min | Max | |||
IGT | V = 12V R =33Ω | 35 | mA | |
VGT | 1.3 | V | ||
VGD | VD=VDRM Tj=125℃ | 0.2 | V | |
IL | IG= 1.2IGT | 180 | mA | |
IH | IT=500mA | 120 | mA | |
dV/dt | VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ | 500 | V/μs | |
VTM | ITM =45A tp=380μs | 1.7 | V | |
IDRM | VD=VDRM VR=VRRM | 20 | μA | |
IRRM | 4 | mA |
Datos mecánicos de paquete
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.