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| Precio unitario: | USD 0.11 / Piece/Pieces |
|---|---|
| Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Cantidad de pedido mínima: | 1000 Piece/Pieces |
| Plazo de entrega: | 30 días |
Información básica
Modelo: YZPST-X0405-1
Información adicional
Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
productividad: 1000
Marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: China
Capacidad de suministro: 10000
Certificados : ISO9001-2008,ROHS
HS-Code: 85413000
Hafen: Shanghai
DDescripción
X0405 SCRS
Paquete TO-202-3
● Característica principal (Tj = 25 ℃)
Unidad de valor de símbolo
IT (AV) 2.5 A
DRM / VRRM ≥800 V
IGT 10 ~ 200 uA
Absoluto calificaciones (Limitando V a lues)
|
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
|
IT(RMS) |
RMS on-state current (180°conduction angle) |
4 |
A |
|
IT(AV) |
AV on-state current (180°conduction angle) |
2.5 |
A |
|
ITSM |
Non repetitive surge peak on-state Current (tp=10ms) |
30 |
A |
|
IGM |
Peak gate current(tp=20us) |
1.2 |
A |
|
PGM |
Peak gate power |
0.5 |
W |
|
PG(AV) |
Average gate power |
0.2 |
W |
|
Tstg Tj |
Storage temperature Operating junction temperature |
-40--+150 -40--+110 |
℃ |
Term a i Resistencias
|
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
|
Rth (j-c) |
Junction to case |
18 |
℃/W |
|
Rth (j-a) |
Junction to ambient |
100 |
℃/W |
● eléctrico características (Tj = 25 ℃ a no ser que otro ise w declarado )
|
Symbol |
Test Conditions |
Value |
Unit |
|||
|
Min |
Type |
Max |
||||
|
IGT |
VD=6V, RL=100Ω, RGK=1KΩ |
----- |
----- |
200 |
uA |
|
|
VGT |
VD=12V, RL=100Ω, RGK=1KΩ |
----- |
----- |
0.8 |
V |
|
|
VGD |
VD=1/2VDRM, RGK=1KΩ Tj=125℃ |
0.2 |
----- |
----- |
V |
|
|
IH |
VD=24V, RGK=1KΩ, ITM=4A |
----- |
3 |
6 |
mA |
|
|
dV/dt |
VD=2/3VDRM, RGK=1KΩ,Tj=125℃ |
10 |
## 15 |
----- |
v/μ s |
|
|
VTM |
ITM=8A |
----- |
----- |
1.8 |
V |
|
|
IDRM IRRM |
VD=VDRM VR=VRRM |
Tj=125℃ |
----- |
----- |
200 |
uA |
|
Tj=125℃ |
----- |
----- |
200 |
uA |
||
PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado de silicio (SCR)
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