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Home > Lista de Productos > Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado de silicio (SCR) > 25TTS08 800 V rectificadores controlados por silicio Control de fase scr
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| Precio unitario: | USD 0.3 - 0.4 / Piece/Pieces |
|---|---|
| Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Cantidad de pedido mínima: | 2000 Piece/Pieces |
| Plazo de entrega: | 30 días |
Información básica
Modelo: YZPST-25TTS08
Información adicional
Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
productividad: 10000
Marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: China
Capacidad de suministro: 100000
Certificados : ISO9001-2015,ROHS
Hafen: SHANGHAI
DDescripción
PH ASE CONTROL SCR
YZPST-25TTS08
Descripción / Características
Los 25TTS08 de rectificadores controlados por silicio están diseñados específicamente para aplicaciones de conmutación de potencia media y control de fase. La tecnología de pasivación de vidrio utilizada tiene un funcionamiento confiable de hasta 125 oC de temperatura de unión.
Las aplicaciones típicas se encuentran en la rectificación de entrada (inicio suave) y estos productos están diseñados para ser utilizados con diodos de entrada, interruptores y rectificadores de salida de International Rectifier, que están disponibles en contornos de paquetes idénticos.
CALIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta = 25 OC)
|
Parameter |
Symbol |
Typ |
Unit |
|
Repetitive peak off-state voltages |
VDRM VRRM |
800 |
V |
|
Average on-state current |
IT(AV) |
16 |
A |
|
RMS on-state current |
IT(RMS) |
25 |
A |
|
Non-repetitive peak on-state current |
ITSM |
300 |
A |
|
Max. Operating Junction Temperature |
Tj |
110 |
oC |
|
Storage Temperature |
Tstg |
-45~150 |
oC |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta = 25 OC)
|
Parameter |
Symbol |
Test Conditions |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Repetitive peak off-state voltages |
VDRM VRRM |
|
- |
800 |
- |
V |
|
Average on-state current |
IT(AV) |
o |
- |
16 |
- |
A |
|
RMS on-state current |
IT(RMS) |
all conduction angles |
- |
25 |
- |
A |
|
On-state voltage |
VTM |
o |
- |
- |
1.25 |
V |
|
Holding current |
IH |
VD =12 V; IGT = 0.1 A |
- |
- |
100 |
mA |
|
Latching current |
IL |
VD =12 V; IGT = 0.1 A |
- |
- |
200 |
mA |
|
Gate trigger current |
IGT |
VD =12 V; IT = 0.1 A |
- |
- |
45 |
mA |
|
Gate trigger voltage |
VGT |
VD =12 V; IT = 0.1 A |
- |
- |
2.0 |
V |
PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado de silicio (SCR)
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Número de Teléfono:86-514-87782298
Fax:86-514-87782297
Móvil:+8613805278321
Email:info@yzpst.com
Dirección: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu
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