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Precio del transistor de potencia del transistor del SCR con gran precio

    Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Plazo de entrega: 30 días

Información básica

Modelo: YZPST-1690-TO-247S

Información adicional

Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad: 1000

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 10000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85413000

Hafen: Shanghai

DDescripción

PST1690 Series 90A SCRs

YZPST-1690-TO-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 s e r i e s o f si l icon c o n trolled rec t i f i l i s, con h i g h ab i l idad t o con h st y d t h e s h o ck l o a d i n g o f lar g e c u r r en t, p ro v ide h i g h d v / d t tarifa con s t r r en g resistir un ce a e lec t r o m a g ne tic i n t e r f e re n c e. Th e y una re e s p e cialmente rec o mm en d e d f o r uso o n s o l i d st a te RELA y, mo t o rc y CLE, po w e r c ha r g e r , T - t oo ls e tc

Precio del transistor de potencia del transistor del SCR con gran precio

A B S O L U TE MA X I MU M R A TINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40-150

Operating junction temperature range

Tj

-40-125

Repetitive peak off-state voltage

VDRM

1600

V

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

1600

V

Average on-state current (TC=80)

IT(AV)

56

A

RMS on-state current(TC=80)

IT(RMS)

90

A

Non repetitive surge peak on-state current

(tp=10ms)

 

ITSM

 

1250

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

7800

A2s

Critical rate of rise of on-state current

(IG=2×IGT)

 

dI/dt

 

150

 

A/μs

Peak gate current

IGM

10

A

Peak gate power

PGM

20

W

Average gate power dissipation(Tj=125)

PG(AV)

2

W


E L E C TRICAL CH A R A A CTERI S TICS
( T j = 25 u n menos o t h e w ise r s pe ci f i e d )

 

Symbol

 

Test Condition

Value

 

Unit

MIN.

TYP.

MAX.

IGT

 

VD=12V RL=30Ω

10

-

80

mA

VGT

-

-

1.5

V

VGD

VD=VDRM Tj=125

0.25

-

-

V

IL

 

IG=1.2 IGT

-

-

200

mA

IH

 

IT=1A

-

-

150

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Tj=125 Gate Open

1000

-

-

V/μs

S TA TIC C H A RA CTERI S TICS

Symbol

Parameter

Value(MAX)

Unit

VTM

ITM=110A tp=380μs

TC=25

1.8

V

IDRM

 

VD=VDRM VR=VRRM

TC=25

50

μA

IRRM

TC=125

10

mA

TÉRMICO R E S I S T A CE S

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth(j-c)

junction to case(DC)

0.27

/W


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PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado de silicio (SCR)

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