YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Inicio> Lista de Productos> Paquete de plástico semiconductor> Rectificador controlado por silicio (SCR)> Precio del transistor de potencia del transistor del SCR con gran precio
Precio del transistor de potencia del transistor del SCR con gran precio
Precio del transistor de potencia del transistor del SCR con gran precio
Precio del transistor de potencia del transistor del SCR con gran precio

Precio del transistor de potencia del transistor del SCR con gran precio

Obtener el último precio
Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
Hafen:Shanghai
Atributos del producto

ModeloYZPST-1690-TO-247S

MarcaYZPST

Embalaje y entrega
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
Descripción
PST1690 Series 90A SCRs

YZPST-1690-TO-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 s e r i e s o f si l icon c o n trolled rec t i f i l i s, con h i g h ab i l idad t o con h st y d t h e s h o ck l o a d i n g o f lar g e c u r r en t, p ro v ide h i g h d v / d t tarifa con s t r r en g resistir un ce a e lec t r o m a g ne tic i n t e r f e re n c e. Th e y una re e s p e cialmente rec o mm en d e d f o r uso o n s o l i d st a te RELA y, mo t o rc y CLE, po w e r c ha r g e r , T - t oo ls e tc

Precio del transistor de potencia del transistor del SCR con gran precio

A B S O L U TE MA X I MU M R A TINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40-150

Operating junction temperature range

Tj

-40-125

Repetitive peak off-state voltage

VDRM

1600

V

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

1600

V

Average on-state current (TC=80)

IT(AV)

56

A

RMS on-state current(TC=80)

IT(RMS)

90

A

Non repetitive surge peak on-state current

(tp=10ms)

 

ITSM

 

1250

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

7800

A2s

Critical rate of rise of on-state current

(IG=2×IGT)

 

dI/dt

 

150

 

A/μs

Peak gate current

IGM

10

A

Peak gate power

PGM

20

W

Average gate power dissipation(Tj=125)

PG(AV)

2

W


E L E C TRICAL CH A R A A CTERI S TICS
( T j = 25 u n menos o t h e w ise r s pe ci f i e d )

 

Symbol

 

Test Condition

Value

 

Unit

MIN.

TYP.

MAX.

IGT

 

VD=12V RL=30Ω

10

-

80

mA

VGT

-

-

1.5

V

VGD

VD=VDRM Tj=125

0.25

-

-

V

IL

 

IG=1.2 IGT

-

-

200

mA

IH

 

IT=1A

-

-

150

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Tj=125 Gate Open

1000

-

-

V/μs

S TA TIC C H A RA CTERI S TICS

Symbol

Parameter

Value(MAX)

Unit

VTM

ITM=110A tp=380μs

TC=25

1.8

V

IDRM

 

VD=VDRM VR=VRRM

TC=25

50

μA

IRRM

TC=125

10

mA

TÉRMICO R E S I S T A CE S

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth(j-c)

junction to case(DC)

0.27

/W


Imágenes detalladas

Inicio> Lista de Productos> Paquete de plástico semiconductor> Rectificador controlado por silicio (SCR)> Precio del transistor de potencia del transistor del SCR con gran precio
苏ICP备05018286号-1
Realizar consulta
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Enviar