25TTS12 semiconductores control de fase scr 1200V

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

TYP.

MAX.

Maximum average on-state current

IT(AV)

TC = 93 °C, 180° conduction half sine wave

16

A

Maximum RMS on-state current

IRMS

25

Maximum peak, one-cycle, non-repetitive surge current

ITSM

10 ms sine pulse, rated VRRM applied

300

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

350

Maximum I2t for fusing

I2t

10 ms sine pulse, rated VRRM applied

450

A2s

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

630

Maximum I2√t for fusing

I2√t

t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied

6300

A2√s

Maximum on-state voltage drop

VTM

16 A, TJ = 25 °C

1.25

V

On-state slope resistance

rt

TJ = 125 °C

12.0

mΩ

Threshold voltage

VT(TO)

1.0

V

Maximum reverse and direct leakage current

IRM/IDM

TJ = 25 °C

VR = Rated VRRM/VDRM

0.5

mA

TJ = 125 °C

10

Holding current

IH

Anode supply = 6 V, resistive load, initial IT = 1 A

-

100

Maximum latching current

IL

Anode supply = 6 V, resistive load

200

Maximum rate of rise of off-state voltage

dV/dt

500

V/µs

Maximum rate of rise of turned-on current

dI/dt

150

A/µs

TRIGGERING

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum peak gate power

PGM

8.0

W

Maximum average gate power

PG(AV)

2.0

Maximum peak positive gate current

+ IGM

1.5

A

Maximum peak negative gate voltage

- VGM

10

V

Maximum required DC gate current to trigger

IGT

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 10 °C

60

mA

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C

45

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C

20

Maximum required DC gate voltage to trigger

VGT

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 10 °C

2.5

V

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C

2.0

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C

1.0

Maximum DC gate voltage not to trigger

VGD

TJ = 125 °C, VDRM = Rated value

0.25

Maximum DC gate current not to trigger

IGD

2.0

mA