YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Proceso de pasivación de vidrio de mesa a 247 SCR 1200V
Proceso de pasivación de vidrio de mesa a 247 SCR 1200V
Proceso de pasivación de vidrio de mesa a 247 SCR 1200V
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Proceso de pasivación de vidrio de mesa a 247 SCR 1200V

Proceso de pasivación de vidrio de mesa a 247 SCR 1200V

$0.751000-9999 Piece/Pieces

$0.55≥10000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Air
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-40TPS12

MarcaYzpst

Lugar De Origenporcelana

IT (RMS)40A

VDRM / VRRM1200V

IGT≤35mA

ITSM460A

IGM4A

PGM5W

PG(AV)1W

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje de protección de plástico
Ejemplo de una imagen :
Descargar :
SCR YZPST-40TPS12
Descripción

SCR YZPST-40TPS12

Características del producto

Proceso de pasivación de vidrio de mesa,

El metal electrodo posterior (ánodo): Ti-Ni-Ag

El electrodo positivo (puerta, ánodo): AL

Los fines principales

Interruptor de corriente alterna,

Converter de potencia AC DC,

El control de la calefacción eléctrica

Control de velocidad del motor

Paquete

To-247

SCR

MainFeature (TJ = 25 ℃)

Symbol

Value

Unit

IT (RMS)

40

A

VDRM   / VRRM

1200

V

IGT

35

mA

Atingos absolutos ( valores limitantes ) _

Symbol

Parameter

Value

Unit

IT (RMS)

RMS on-state current (180°conduction angle)

40

A


ITSM

 

Non repetitive surge peak on-state

Current (tp= 10ms)

460

A

IGM

Peak gate current(tp=20us)

4

A

PGM

Peak gate power

5

W

PG(AV)

Average gate power

1

W

Tstg

Tj

Storage temperature

Operating junction temperature

-40--+ 150 -40--+ 125

SCR YZPST-40TPS12

Resistencia de Thermai s

Symbol

Parameter

 

Value

Unit

 

Rth (j-c)

 

Junction to case

 

TO-247

 

0.95

 

/W

Características eléctricas _Tj = 25 a menos que se indique lo contrario

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

Min

Type

Max

IGT

VD= 12V, RL=33 Ω

----

-----

35

mA

VGT

VD= 12V, RL=33 Ω

-----

-----

1.5

V

VGD

VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK= 1KΩ,Tj=125

0.2

-----

-----

V

H

IT=500mA

-----

-----

75

mA

L

IG= 1.2IGT

-----

-----

150

mA

dV/dt

VD=67%VDRM, GateOpen,  Tj=110℃

1000

 

-----

 

-----

v/ μs

VTM

IT=80A,tp=380 μs

-----

-----

1.6

V

dI/dt

IG=2IGT

50

-----

-----

A/ μs

I2T

Tp= 10ms

-----

-----

1060

A2 S

IDRM

VD=VDRM

Tj=25℃

-----

-----

10

μA

Tj=125℃

-----

-----

4

mA

 

VRRM

VR=VRRM

Tj=25℃

-----

-----

10

μA

Tj=125℃

-----

-----

4

mA


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