YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Inicio> Lista de Productos> Paquete de plástico semiconductor> Rectificador controlado por silicio (SCR)> Capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión alta 150 grados SCR TO92
Capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión alta 150 grados SCR TO92
Capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión alta 150 grados SCR TO92
Capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión alta 150 grados SCR TO92
Capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión alta 150 grados SCR TO92
Capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión alta 150 grados SCR TO92
Capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión alta 150 grados SCR TO92
Capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión alta 150 grados SCR TO92
Capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión alta 150 grados SCR TO92

Capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión alta 150 grados SCR TO92

$0.251000-9999 Piece/Pieces

$0.18≥10000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
Hafen:Shanghai
Atributos del producto

ModeloYZPST-BT169

MarcaYzpst

SolicitudMicrófono, No aplica

Tipo De Alimentaciónotro

Materiales De Referenciaotro

Metodo De InstalacionNo aplica

Función FETNo aplica, Carburo de silicio (SiC), Estándar

ConfiguraciónNo aplica, Único, Tipo T

CertificationRoHS

ITRMS0.8A~2A

Voltage/VDRM800V/1000V

IGT0~200uA

ITSM8A~18A

Tjmax110 °C

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : Para obtener información más detallada del producto e información de transacción, comuníquese con nuestra dirección de correo electrónico: info@yzpst.com
Descargar :
Transistor BT169 BT169
Descripción

SCR: YZPST-BT169 TO92

Descripción:

La serie MCR111-8 SCR proporciona alta tasa de DV/DT con una fuerte resistencia a la interfaz electromagnética. Se recomiendan especialmente para su uso en circuito de corriente residual, cabello liso, encendedor, etc.

Características principales:

symbol

value

unit

IT(RMS)

1.8

A

VDRM/VRRM

811

V

VTM

s1.5

V


ÍNDICES ABSOLUTOS MÁXIMOS:

Parameter

symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-41~151

C

Operating junction temperature range

Tj

-41~111

C

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25C)

VDRM

811

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25C)

VRRM

811

V

RMS on-state current (TC=81C)

IT(RMS)

1.8

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=51Hz)

ITSM

11

A

I2t value for fusing (tp=11ms)

I2t

1.5

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2xIGT)

dI/dt

51

A/us

Peak gate current

IGM

1.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1.1

W

Peak gate power

PGM

1.5

W

Características y beneficios clave

Ruggedness y confiabilidad de voltaje

Tecnología SCR de última generación para una inmunidad de ruido mejorada

Alta capacidad de conmutación con inmunidad de disparo falso máximo y inmunidad muy alta a falsa activación por DV/DT

Paquete de montaje en superficie

1000V de voltaje máximo






Paquetes
TO92 SCR

Referencia cruzada
YZPST
 
MCR100
BT169
CR02, CR03
MCR100-8I
MCR100-8


Aplicaciones:

GFCI


YZPST-MCR100-1



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