YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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TO220 NPN Tipo Transistor 2SC2073
TO220 NPN Tipo Transistor 2SC2073
TO220 NPN Tipo Transistor 2SC2073
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TO220 NPN Tipo Transistor 2SC2073

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-2SC2073

MarcaYzpst

VCBO150V

VCEO150V

VEBO5V

IC1.5A

PTOT75W

Tj150℃

Tstg-55-+150℃

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje de protección de plástico
Descargar :
YZPST-2SC2073 TO220 NPN Tipo Transistor 2SC2073
Descripción

Transistor de tipo NPN 2SC2073

Description:
El 2SC2073 es un transistor de tipo NPN, utilizado como tubo de interruptor de alimentación para balastos electrónicos y lámparas electrónicas de ahorro de energía. Tiene las características de baja pérdida de conmutación, alta confiabilidad, buenas características de alta temperatura, velocidad de conmutación adecuada, baja fuga inversa, etc.
NPN Type Transistor

ÍNDICES ABSOLUTOS MÁXIMOS

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

150

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

150

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Continuous Collector Current

1.5

A

PTOT

Total dissipation at Tcase=25 ℃

75

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature Range

-55-150

Características eléctricas (TC = 25 ° C, a menos que se especifique lo contrario)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

V(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=1mA

150

 

 

V

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC=0.1mA

150

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE=1mA

-5

 

 

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB=150V, IE=0

 

 

5

μA

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE=150V, IC=0

 

 

5

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB=5V, IC=0

 

 

5

μA

hFE

DC Current Gain

VCE=10V, IC=0.5A

40

 

140

 

VCE(sat)

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=0.5A, IB=50mA

 

 

0.85

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC=0.5A, IB=50mA

 

 

1.5

V

a: tp300μs,δ≤2%

Datos mecánicos del paquete

NPN Type Transistor


苏ICP备05018286号-1
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