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Tiristor de alta potencia para aplicaciones de control de fase 1600V
Tiristor de alta potencia para aplicaciones de control de fase 1600V
Tiristor de alta potencia para aplicaciones de control de fase 1600V

Tiristor de alta potencia para aplicaciones de control de fase 1600V

Precio unitario: USD 250 - 350 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-KP4350A1600V

    VRRM: 1600V

    VDRM: 1600V

    I RRM /I DRM: 450A

    I T(AV): 4350A

    IL: 1000mA

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 1000

    Certificados : ISO9000

    HS-Code: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción


Tiristor de alta potencia para aplicaciones de control de fase

YZPST-KP4350A1600V


caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de compuerta amplificadora lineal

. Capacidad de bloqueo hasta 16 00 voltios

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado desactivado

Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

KP4350A

  1600

  1600

  1700

V RRM = voltaje inverso de pico repetitivo

V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

 

450 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

300 V/msec

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  4350

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=70oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

48900

  

 

A

 

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

11.9x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

     1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

     1.5

 

V

ITM = 6000 A; Duty cpstcle £ 0.01%

Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5)

di/dt

 

      200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

0.30

5

3

 

 

V

V

V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V



RESUMEN DEL CASO Y DIMENSIONES.

YZPST-KP4350A1600V



PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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Fax:86-514-87782297

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