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Home > Lista de Productos > Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase > Tiristor de alta potencia para aplicaciones de control de fase 1600V
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| Precio unitario: | USD 250 - 350 / Piece/Pieces |
|---|---|
| Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Cantidad de pedido mínima: | 1 Piece/Pieces |
| Plazo de entrega: | 30 días |
Información básica
Modelo: YZPST-KP4350A1600V
Información adicional
Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
productividad: 100
Marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: China
Capacidad de suministro: 1000
Certificados : ISO9000
HS-Code: 85413000
Hafen: SHANGHAI
DDescripción
Tiristor de alta potencia para aplicaciones de control de fase
YZPST-KP4350A1600V
caracteristicas:
. Toda estructura difusa
. Configuración de compuerta amplificadora lineal
. Capacidad de bloqueo hasta 16 00 voltios
. Máximo tiempo de apagado garantizado
. Alta capacidad dV / dt
. Dispositivo ensamblado a presión
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES
Bloqueo - Estado desactivado
|
Device Type |
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
|
KP4350A |
1600 |
1600 |
1700 |
V RRM = voltaje inverso de pico repetitivo
V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado
V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)
|
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
450 mA (3) |
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
300 V/msec |
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
4350 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,TS=70oC |
|
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
48900
|
|
A
|
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
|
I square t |
I2t |
|
11.9x106 |
|
A2s |
10.0 msec |
|
Latching current |
IL |
|
1000 |
|
mA |
VD = 12 V; RL= 12 ohms |
|
Holding current |
IH |
|
450 |
|
mA |
VD = 12 V; I = 2.5 A |
|
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.5 |
|
V |
ITM = 6000 A; Duty cpstcle £ 0.01% Tj = 25 oC |
|
Critical rate of rise of on-state current (5) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Gating
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
200 |
|
W |
tp = 40 us |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
|
Peak gate current |
IGM |
|
15 |
|
A |
|
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
30 |
300 200 125 |
|
mA mA mA |
VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC |
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
0.30 |
5 3
|
|
V V V |
VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
|
Peak negative voltage |
VGRM |
|
15 |
|
V |
|
RESUMEN DEL CASO Y DIMENSIONES.
PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase
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