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 

Tiristor de alta potencia para aplicaciones de control de fase 1600V

$350

1-9
Piece/Pieces
$250

≥10
Piece/Pieces

Payment Type:

L/C,T/T,Paypal

Incoterm:

FOB,CFR,CIF

Min. Order:

1 Piece/Pieces

Delivery Time:

30 Days

Transportation:

Ocean,Air

Port:

SHANGHAI

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DDescripción

Product Attributes
Supply Ability & Additional Informations
Embalaje y entrega

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Overview

Product Attributes

Modelo: YZPST-KP4350A1600V

Marca: YZPST

Supply Ability & Additional Informations

Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad: 100

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 1000

Certificados : ISO9000

HS-Code: 85413000

Hafen: SHANGHAI

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal

Incoterm: FOB,CFR,CIF

Plazo de entrega: 30 días

Embalaje y entrega

Unidades de venta:: Piece/Pieces

Tipo de paquete:: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

Tiristor de alta potencia para aplicaciones de control de fase

YZPST-KP4350A1600V

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de compuerta amplificadora lineal

. Capacidad de bloqueo hasta 16 00 voltios

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado desactivado

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
KP4350A	1600	1600	1700

V _RRM = voltaje inverso de pico repetitivo

V _DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V _RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

450 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

300 V/msec

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		4350		A	Sinewave,180^o conduction,T_S=70^oC
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current	I_TSM		48900		A	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		11.9x10⁶		A²s	10.0 msec
Latching current	I_L		1000		mA	V_D = 12 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		450		mA	V_{D =} 12 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		1.5		V	I_TM = 6000 A; Duty cpstcle £ 0.01% T_j = 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		200		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		15		A
Gate current required to trigger all units	I_GT	30	300 200 125		mA mA mA	V_D = 12 V;R_L = 6 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 12 V;R_L = 6 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 12 V;R_L = 6 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT	0.30	5 3		V V V	V_D = 12 V;R_L = 6 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 12 V;R_L = 6 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		15		V