Control de tiristor de alto voltaje SCR kp1000A 6500V

    Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Plazo de entrega: 30 días

Descargar:

Información básica

Modelo: YZPST-KP1000A6500V

Información adicional

productividad: 100

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 1000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85413000

Hafen: Shanghai

DDescripción

Tiristores de control de fase

YZPST-KP1000A6500V

Los tiristores de control de fase 6600V son cortos para el rectificador tiristor. Es un tipo de dispositivo semiconductor de alta potencia con cuatro capas de tres uniones PN, también llamado tiristor. Con las características de pequeño volumen, estructura simple y función fuerte, es uno de los dispositivos semiconductores más comúnmente utilizados.

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

6600

V

V

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

6500

V

VT

On-state voltage

IT=1000 A

TJ = 25°C

 

 

2.95

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

1000

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

1140

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

22

K/KW

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

4

K/KW

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

9.7

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

470

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= 2/3VDRM

repetitive

 

 

50

A/µs

non-repet

 

 

1000

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= 2/3
V
DRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

2000

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

2.6

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

400

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

500

mA

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

900

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

 

3

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD= 2/3
V
DRM

TJ = 150°C

 

 

600

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-40

 

140

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

 

 

125

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

14

22

24

kN



Dibujo de esquema

High Voltage Thyristor Control SCR kp1000A 6500V

PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

Imagen de Producto

  • Control de tiristor de alto voltaje SCR kp1000A 6500V
Contactar proveedor
  • *Asunto:
  • *Mensajes:
    Su mensaje debe ser de entre 20 a 8,000 caracteres.
Contactar Proveedor?Proveed
John chang Mr. John chang
¿Qué puedo hacer por ti?
Chatear Ahora Contactar Proveedor