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Home > Lista de Productos > Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase > Control de tiristor de alto voltaje SCR kp1000A 6500V
PRODUCT CATEGORIES
| Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
|---|---|
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Plazo de entrega: | 30 días |
Información básica
Modelo: YZPST-KP1000A6500V
Información adicional
productividad: 100
Marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: China
Capacidad de suministro: 1000
Certificados : ISO9001-2008,ROHS
HS-Code: 85413000
Hafen: Shanghai
DDescripción
Tiristores de control de fase
YZPST-KP1000A6500V
Los tiristores de control de fase 6600V son cortos para el rectificador tiristor. Es un tipo de dispositivo semiconductor de alta potencia con cuatro capas de tres uniones PN, también llamado tiristor. Con las características de pequeño volumen, estructura simple y función fuerte, es uno de los dispositivos semiconductores más comúnmente utilizados.
|
Symbol |
Definition |
Conditions |
|
min. |
typ. |
max. |
Unit |
|
V |
max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage |
TJ = 25°C |
|
|
6600 |
V |
|
|
V |
max. repetitive reverse/forward blocking voltage |
TJ = 25°C |
|
|
6500 |
V |
|
|
VT |
On-state voltage |
IT=1000 A |
TJ = 25°C |
|
|
2.95 |
V |
|
IT(AV) |
average forward current |
TC=25°C |
|
|
|
1000 |
A |
|
IT(RMS) |
RMS forward current |
180° sine |
|
|
|
1140 |
A |
|
RthJC |
thermal resistance junction to case |
|
|
|
|
22 |
K/KW |
|
RthCH |
thermal resistance case to heatsink |
|
|
|
|
4 |
K/KW |
|
ITSM |
max. forward surge current |
t = 10 ms; (50 Hz), sine |
TJ = 25°C |
|
|
9.7 |
kA |
|
I²t |
value for fusing |
t = 10 ms; (50 Hz), sine |
TJ = 25°C |
|
|
470 |
kA²s |
|
di/dt |
Rate of rise of on-state current |
TJ = 125°C; f = 50 Hz tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs; IG=0.15A;VD= 2/3VDRM |
repetitive |
|
|
50 |
A/µs |
|
non-repet |
|
|
1000 |
A/µs |
|||
|
dv/dt |
Maximum linear rate of rise of off-state voltage |
VD= 2/3 RGK =∞; method 1 (linear voltage rise) |
TJ = 125°C |
|
|
2000 |
V/µs |
|
VGT |
gate trigger voltage |
VD = 6V |
TJ = 25°C |
|
|
2.6 |
V |
|
IGT |
gate trigger current |
VD = 6V |
TJ = 25°C |
|
|
400 |
mA |
|
IL |
latching current |
|
TJ = 25°C |
|
|
500 |
mA |
|
IH |
holding current |
|
TJ = 25°C |
|
|
900 |
mA |
|
tgd |
gate controlled delay time |
|
TJ = 25°C |
|
|
3 |
µs |
|
tq |
Turn-off time |
VR=10 V; IT=20A; VD= 2/3 |
TJ = 150°C |
|
|
600 |
µs |
|
Tstg |
storage temperature |
|
|
-40 |
|
140 |
°C |
|
TJ |
virtual junction temperature |
|
|
|
|
125 |
°C |
|
Wt |
Weight |
|
|
|
|
|
g |
|
F |
mounting force |
|
|
14 |
22 |
24 |
kN |
Dibujo de esquema
PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase
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