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Dispositivo de alta presión dV / dt Tipo de tiristor Dispositivo ensamblado

Dispositivo de alta presión dV / dt Tipo de tiristor Dispositivo ensamblado

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Información básica

    Modelo: YZPST-KK2500A2500V

Información adicional

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA

YZPST-KK2500A2500V

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE

caracteristicas: . Toda estructura difusa . Configuración de compuerta amplificadora interdigitada . Tiempo máximo garantizado de apagado

. Alta capacidad dV / dt . Dispositivo ensamblado a presión

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  2500


A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

  3900


A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

45000


42000

 

A


A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

5.5x106

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

    1000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     500

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM


     2.00


V

ITM = 3000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt


      800


A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt


      300


A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V

High dV/dt Disc Type thyristor Pressure Assembled Device



Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200


W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W


Peak gate current

IGM

 

20

 

A


Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units



VGT

 

 

0.30

5

4


 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM


20


V



Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

    2.0


ms

ITM = 50 A; VD = 67% VDRM

Gate pulse: VG = 30 V; RG = 10 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

 

     80


 

ms

ITM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -5 V; Re-applied dV/dt = 400 V/ms linear to 67% VDRM ;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery current

Irr

 

      200


A

ITM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V; Tj = 125 oC


CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS Y CALIFICACIONES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125


oC


Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC


Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)


0.012


 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)


0.002


 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

 8000

 35.5

10000

44.4

 

lb.

kN


Weight

W



  3.5

1.60

Lb.

Kg.



* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas

Nota: para el contorno y las dimensiones del caso, vea el dibujo del esquema del caso en la página 3 de esta Información técnica

HIGH POWER THYRISTOR YZPST-KK2500A2500V

A: 73 mm

B: 109 mm

C: 98 mm

E: 36 mm


DiscType Thyristor

PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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