Equipo de seguridad Tiristor al por mayor en línea
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Modelo: YZPST-N350SH18
Marca: YZPST
Equipo de seguridad Tiristor al por mayor en línea
YZPST-N350SH18
El tiristor para equipos mayoristas tiene características y clasificaciones eléctricas y algunas aplicaciones del tiristor de alta potencia para el control de fase.
Las características del tiristor 1800v son todas Estructura difusa. Configuración de compuerta amplificadora interdigitada. Máximo tiempo de apagado garantizado
. Alta capacidad dV / dt y dispositivo ensamblado a presión.
Bloqueo - Estado desactivado
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
1800 |
1800 |
1900 |
V RRM = Voltaje inverso pico repetitivo
V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado
V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
10 mA 60 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Notas:
Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 oC a menos que se indique lo contrario.
(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para una forma de onda sinusoidal aplicada de 50Hz / 60zHz en el rango de temperatura -40 a +125 oC.
(2) 10 ms. max. ancho de pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.
(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de VDRM nominal. Puerta abierta. Tj = 125 oC.
(5) Valor no repetitivo.
(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con la Norma EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 F y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.
Conducción - en estado
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
1042 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)M |
|
2072 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
11.52 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
661x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.75 |
|
V |
ITM = 1700 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
4 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Dinámica
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
- |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
- |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
- |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
- |
- |
- |
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
CARACTERÍSTICAS Y CALIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
32 64 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
10 |
20 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas
Nota: para el esquema y las dimensiones del caso, vea el dibujo del esquema del caso en la página 3 de estos Datos técnicos
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