Trade Assurance Best Thyristor con garantía de calidad

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Información básica

Modelo: YZPST-N195CH16

Información adicional

productividad: 100

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85413000

Hafen: SHANGHAI

DDescripción



TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA EL CONTROL DE FASE

YPPST-N195CH16


Mejor 1600V tiristores, Características:. Configuración de compuerta amplificadora interdigitada

. Tiempo máximo garantizado de apagado . Alta capacidad dV / dt . Todo el dispositivo ensamblado a presión de estructura difusa .

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado de apagado


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1600

1600

1700

V RRM = voltaje reverso de pico repetitivo

V DRM = Voltaje pico de estado repetitivo

V RSM = Tensión inversa máxima no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

5 mA

50 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 oC a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para una forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz aplicada en el rango de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 mseg. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial al 80% de VDRM. Puerta abierta. Tj = 125 oC.

(5) valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido a partir de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0,2 F y una resistencia de 20 ohm en paralelo con el thristor sometido a prueba.


Conduciendo - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

400

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

900

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

4.3

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

96x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

250

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.09

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

250

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

125

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

3

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

250

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

2.5

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

2.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

150

ms

ITM=300A, tp=500us, di/dt=10A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS Y CALIFICACIONES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-60

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-60

+125

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

80

174

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

5

7

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas

Nota: para el contorno y las dimensiones del caso, vea el dibujo del esquema del caso en la página 3 de esta Información técnica



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PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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