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Home > Lista de Productos > Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase > Especificación de tiristores de fase 400a

Especificación de tiristores de fase 400a

Payment Type:
L/C,T/T,D/P
Incoterm:
FOB,CFR,FCA
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-KP400A1800V

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

productividad100

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro1000

Certificados ISO9001-2008,ROHS

HS-Code85413000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,D/P

IncotermFOB,CFR,FCA

Plazo de entrega30 días

Tiristores de control de fase

YZPST-KP400A1800V

Tiristores de control de fase es



El circuito de disparo de fase es en realidad un tipo de circuito de disparo de CA. El método de este circuito es usar un circuito RC para controlar la fase de la señal de disparo.


Thyristor

Ratings

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V EQ \F(RSM,DSM)

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1900

V

V EQ \F(RRM,DRM)

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1800

V

VT

On-state voltage

IT=1100 A

TJ = 25°C

 

 

1.85

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

400

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

530

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

 

K/W

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

 

K/W

RthJK

thermal resistance junction to heatsink

 

 

 

 

0.048

K/W

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

6.3

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

198

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= ⅔VDRM

repetitive

 

 

160

A/µs

non-repet

 

 

320

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= ⅔VDRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

1000

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

2.5

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

250

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

 

A

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

300

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

 

2.5

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD=⅔VDRM

TJ = 150°C

 

200

400

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-60

 

125

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

-60

 

120

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

9

 

11

kN

Dibujo de esquema

Thyristor 400a 1800v


PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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