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PRODUCT CATEGORIES
| Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
|---|---|
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Plazo de entrega: | 30 días |
Información básica
Modelo: YZPST-KP800A 1800V
Información adicional
productividad: 100
Marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: China
Capacidad de suministro: 1000
Certificados : ISO9001-2008,ROHS
HS-Code: 85413000
Hafen: Shanghai
DDescripción
Tiristor de control de fase
YZPST-KP800A1800V
Phase Control Thyristor 1900V es ampliamente utilizado en todo tipo de equipos electrónicos y productos electrónicos. Se utiliza para el rectificador controlado, el inversor, la conversión de frecuencia, la regulación de voltaje y el interruptor sin contacto. Aparatos eléctricos domésticos con luz de regulación, ventilador de velocidad, aire acondicionado, televisores, refrigeradores, lavadoras, cámaras, circuitos combinados de sonido, luz y sonido. El controlador de tiempo, el dispositivo de juguete, el control remoto inalámbrico, la cámara y el dispositivo de tiristor se utilizan ampliamente en el control industrial, etc.
|
Thyristor |
Ratings |
||||||
|
Symbol |
Definition |
Conditions |
|
min. |
typ. |
max. |
Unit |
|
V EQ \F(RSM,DSM) |
max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage |
TJ = 25°C |
|
|
1900 |
V |
|
|
V EQ \F(RRM,DRM) |
max. repetitive reverse/forward blocking voltage |
TJ = 25°C |
|
|
1800 |
V |
|
|
VT |
On-state voltage |
IT=1500 A |
TJ = 25°C |
|
|
1.70 |
V |
|
IT(AV) |
average forward current |
TC=25°C |
|
|
|
800 |
A |
|
IT(RMS) |
RMS forward current |
180° sine |
|
|
|
2214 |
A |
|
RthJC |
thermal resistance junction to case |
|
|
|
|
|
K/W |
|
RthCH |
thermal resistance case to heatsink |
|
|
|
|
|
K/W |
|
RthJK |
thermal resistance junction to heatsink |
|
|
|
|
0.032 |
K/W |
|
ITSM |
max. forward surge current |
t = 10 ms; (50 Hz), sine |
TJ = 25°C |
|
|
12.7 |
kA |
|
I²t |
value for fusing |
t = 10 ms; (50 Hz), sine |
TJ = 25°C |
|
|
806 |
kA²s |
|
di/dt |
Rate of rise of on-state current |
TJ = 125°C; f = 50 Hz tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs; IG=0.15A;VD= ⅔VDRM |
repetitive |
|
|
500 |
A/µs |
|
non-repet |
|
|
1000 |
A/µs |
|||
|
dv/dt |
Maximum linear rate of rise of off-state voltage |
VD= ⅔VDRM RGK =∞; method 1 (linear voltage rise) |
TJ = 125°C |
|
|
1000 |
V/µs |
|
VGT |
gate trigger voltage |
VD = 6V |
TJ = 25°C |
|
|
3.0 |
V |
|
IGT |
gate trigger current |
VD = 6V |
TJ = 25°C |
|
|
300 |
mA |
|
IL |
latching current |
|
TJ = 25°C |
|
|
|
A |
|
IH |
holding current |
|
TJ = 25°C |
|
|
500 |
mA |
|
tgd |
gate controlled delay time |
|
TJ = 25°C |
|
|
2.5 |
µs |
|
tq |
Turn-off time |
VR=10 V; IT=20A; VD=⅔VDRM |
TJ = 150°C |
|
200 |
400 |
µs |
|
Tstg |
storage temperature |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
TJ |
virtual junction temperature |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
Wt |
Weight |
|
|
|
|
|
g |
|
F |
mounting force |
|
|
10 |
|
20 |
kN |
Dibujo de esquema
PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase
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