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Tiristor promocional de alta potencia para control de fase

Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-R219CH12FN0

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

productividad100

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro500

Certificados ISO9001-2008,ROHS

HS-Code85413000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días


Tiristor de alta potencia para control de fase

YZPST-R219CH12FN0

caracteristicas:

Tiempo de apagado máximo garantizado.

. Toda estructura difusa

. Dispositivo ensamblado a presión

Configuración de compuerta amplificadora interdigitada

. Alta capacidad dV / dt


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado desactivado


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM = Voltaje inverso pico repetitivo

V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec





Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de V DRM nominal. Puerta abierta. Tj = 125 o C.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 m F y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

10

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us


Imágenes detalladas



Phase Control Thyristor YZPST-R219CH12FN0

PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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