Tiristor de alta potencia para control de fase
YZPST-R219CH12FN0
caracteristicas:
.Grado garantizado de tiempo máximo de apagado
. Toda estructura difusa
. Dispositivo ensamblado a presión
.Configuración de compuerta amplificadora enterrada
. Alta capacidad dV / dt
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES
Bloqueo - Estado de apagado
|
VRRM (1)
|
VDRM (1)
|
VRSM (1)
|
|
1200
|
1200
|
1300
|
V RRM = voltaje reverso de pico repetitivo
V DRM = Voltaje pico de estado repetitivo
V RSM = Tensión inversa máxima no repetitiva (2)
|
Repetitive
peak reverse leakage and off state leakage
|
IRRM
/ IDRM
|
15 mA
70 mA (3)
|
|
Critical
rate of voltage rise
|
dV/dt
(4)
|
200 V/msec
|
Notas:
Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que se indique lo contrario.
(1) Todas las clasificaciones de voltaje están especificadas para una aplicación
Forma de onda sinusoidal 50Hz / 60zHz sobre
rango de temperatura -40 a +125 o C.
(2) 10 mseg. max. ancho de pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.
(4) Valor mínimo para la forma de onda lineal y exponencial al 80% de DRM V nominal. Puerta abierta. Tj = 125 o C.
(5) valor no repetitivo.
(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 m F y una resistencia de 20 ohm en paralelo con el thristor bajo prueba.
Conduciendo - en estado
|
Parameter
|
Symbol
|
Min.
|
Max.
|
Typ.
|
Units
|
Conditions
|
|
Max. average value of on-state current
|
IT(AV)M
|
|
929
|
|
A
|
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC
|
|
RMS
value of on-state current
|
IT(RMS)m
|
|
1893
|
|
A
|
Nominal
value
|
|
Peak
one cPSTCle surge
(non
repetitive) current
|
ITSM
|
|
-
9.0
|
|
kA
kA
|
8.3
msec (60Hz), sinusoidal wave-
shape,
180o conduction, Tj = 125 oC
10.0
msec (50Hz), sinusoidal wave-
shape,
180o conduction, Tj = 125 oC
|
|
I
square t
|
I2t
|
|
405x103
|
|
A2s
|
8.3
msec
|
|
Latching
current
|
IL
|
|
-
|
|
mA
|
VD = 24 V; RL= 12 ohms
|
|
Holding
current
|
IH
|
|
1000
|
|
mA
|
VD
= 24 V; I = 2.5 A
|
|
Peak
on-state voltage
|
VTM
|
|
2.04
|
|
V
|
ITM = 1400
A
|
|
Critical
rate of rise of on-state
current
(5, 6)
|
di/dt
|
|
1500
|
|
A/ms
|
Switching
from VDRM £ 1000 V,
non-repetitive
|
|
Critical
rate of rise of on-state
current
(6)
|
di/dt
|
|
1000
|
|
A/ms
|
Switching
from VDRM £ 1000 V
|
Gating
|
Parameter
|
Symbol
|
Min.
|
Max.
|
Typ.
|
Units
|
Conditions
|
|
Peak
gate power dissipation
|
PGM
|
|
30
|
|
W
|
|
|
Average
gate power dissipation
|
PG(AV)
|
|
2
|
|
W
|
|
|
Peak
gate current
|
IGM
|
|
-
|
|
A
|
|
|
Gate
current required to trigger all units
|
IGT
|
|
300
|
|
mA
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
|
Gate
voltage required to trigger all units
|
VGT
|
|
3.0
|
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
|
Peak
negative voltage
|
VRGM
|
|
5
|
|
V
|
|
Dinámica
|
Parameter
|
Symbol
|
Min.
|
Max.
|
Typ.
|
Units
|
|
|
Delay
time
|
tgd
|
|
1.0
|
-
|
ms
|
VD=67% VDRM, IT=2000A,
di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us,
Tj=25C
|
|
Turn-on time
|
tgt
|
|
2.0
|
-
|
|
|
Turn-off
time (with VR = -5 V)
|
tq
|
-
|
-
|
10
|
ms
|
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us
|
|
Reverse
recovery current
|
Irm
|
|
-
|
|
A
|
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us
|
PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase
