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Tiristor promocional de alta potencia para control de fase
Tiristor promocional de alta potencia para control de fase
Tiristor promocional de alta potencia para control de fase
Tiristor promocional de alta potencia para control de fase
Tiristor promocional de alta potencia para control de fase

Tiristor promocional de alta potencia para control de fase

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días
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Información básica

    Modelo: YZPST-R219CH12FN0

Información adicional

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción


Tiristor de alta potencia para control de fase

YZPST-R219CH12FN0

caracteristicas:

.Grado garantizado de tiempo máximo de apagado

. Toda estructura difusa

. Dispositivo ensamblado a presión

.Configuración de compuerta amplificadora enterrada

. Alta capacidad dV / dt


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado de apagado


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM = voltaje reverso de pico repetitivo

V DRM = Voltaje pico de estado repetitivo

V RSM = Tensión inversa máxima no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec





Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje están especificadas para una aplicación

Forma de onda sinusoidal 50Hz / 60zHz sobre

rango de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 mseg. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para la forma de onda lineal y exponencial al 80% de DRM V nominal. Puerta abierta. Tj = 125 o C.

(5) valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 m F y una resistencia de 20 ohm en paralelo con el thristor bajo prueba.

Conduciendo - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

10

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us


Imágenes detalladas



Phase Control Thyristor YZPST-R219CH12FN0

PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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