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Tiristores de alta potencia 1718A CE 1800V

Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-N1718NS180

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

productividad100

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro500

Certificados ISO9001-2008,ROHS

HS-Code85413000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días


TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA CONTROL DE FASE

YZPST-N1718NS18

Características: Dispositivo ensamblado a presión. Configuración de puerta amplificadora interdigitada . Toda estructura difusa . Alta capacidad dV / dt . . Máximo tiempo de apagado garantizado .

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES


Bloqueo - Estado desactivado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1800

1800

1900

V RRM = Voltaje inverso pico repetitivo

V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

100 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec


Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 oC a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de VDRM nominal. Puerta abierta. Tj = 125 oC.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con la Norma EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 F y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.



Conducción - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1718

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

3450

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

27.2

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

3.7x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.41

V

ITM = 2550 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V



Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.5

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.5

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

170

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us








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 High Power Thyristors 1718A CE 1800V

PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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