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Tiristores de alta potencia 1718A CE 1800V
Tiristores de alta potencia 1718A CE 1800V

Tiristores de alta potencia 1718A CE 1800V

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-N1718NS180

Información adicional

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción


TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA EL CONTROL DE FASE

YZPST-N1718NS18

Características: Dispositivo ensamblado a presión. Configuración de compuerta amplificadora interdigitada . Toda estructura difusa . Alta capacidad dV / dt . . Tiempo máximo garantizado de apagado .

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES


Bloqueo - Estado de apagado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1800

1800

1900

V RRM = voltaje reverso de pico repetitivo

V DRM = Voltaje pico de estado repetitivo

V RSM = Tensión inversa máxima no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

100 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec


Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 oC a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje están especificadas para una aplicación

Forma de onda sinusoidal 50Hz / 60zHz sobre

rango de temperatura -40 a +125 oC.

(2) 10 mseg. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial al 80% de VDRM. Puerta abierta. Tj = 125 oC.

(5) valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido a partir de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0,2 F y una resistencia de 20 ohm en paralelo con el thristor sometido a prueba.



Conduciendo - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1718

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

3450

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

27.2

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

3.7x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.41

V

ITM = 2550 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V



Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.5

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.5

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

170

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us








Imágenes detalladas


 High Power Thyristors 1718A CE 1800V

PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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