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Home > Lista de Productos > Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase > Alta capacidad dV / dt Tiristores de control de fase 320A

Alta capacidad dV / dt Tiristores de control de fase 320A
Alta capacidad dV / dt Tiristores de control de fase 320A
Alta capacidad dV / dt Tiristores de control de fase 320A
Alta capacidad dV / dt Tiristores de control de fase 320A

Alta capacidad dV / dt Tiristores de control de fase 320A

Precio unitario: USD 39 - 45 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 2 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-T171-320-10

    ITAV: 320A

    ITRMS: 502A

    ITSM: 7kA

    IL: 700mA

    IH: 300mA

Información adicional

    productividad: 200

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

Tiristores de control de fase

YZPST-T171-320-10

Caracteristicas

Configuración de compuerta de amplificación central

Encapsulación ligada por compresión

Alta capacidad dV / dt

Tipo de perno, pulgada de hilo o métrica

Aplicaciones Típicas

Conmutación de potencia media.

Fuentes de alimentación de CC

Clasificaciones máximas y características

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

ON-STATE

 

 

 

ITAV

Mean on-state current

320

A

Sinewave,180° conduction,Tc=84oC

ITRMS

RMS value of on-state current

502

A

Nominal value

ITSM

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

7

kA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I2t

I square t

240

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

IL

Latching current

700

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

IH

Holding current

300

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

VTM

Peak on-state voltage

1.6

V

ITM = 1005 A

di/dt

Critical rate of rise

of on-state current

non-repetitive

1000

A/ms

Gate drive 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, anode voltage≤80% VDRM

repetitive

-

BLOCKING

 

 

 

VDRM

VRRM

Repetitive peak off state voltage

Repetitive peak reverse voltage

1000

V

 

VDSM

VRSM

Non repetitive peak off state voltage

Non repetitive peak reverse voltage

1100

V

 

IDRM

IRRM

Repetitive peak off state current Repetitive peak reverse  current

70

mA

Tj = 100 oC ,VRRM VDRM applied

dV/dt

Critical rate of voltage rise

500

V/ms

TJ=TJmax, linear to 80% rated VDRM

TRIGGEING

 

 

 

PG(AV)

Average gate power dissipation

3

W

 

PGM

Peak gate power dissipation

-

W

 

IGM

Peak gate current

6

A

 

IGT

Gate trigger current

250

mA

TC = 25 oC

VGT

Gate trigger voltage

2.5

V

TC = 25 oC

VGD

Gate non-trigger voltage

0.6

V

Tj = 125 oC

VT0

 

1.006

V

Tj = 125 oC

rT

 

0612

 

SWITCHING

 

 

 

tq

Turn-off time

125

ms

ITM=320A, TJ=TJmax, di/dt=10A/μs,

VR=100V,dv/dt=50V/μs, Gate 0V 100Ω, tp=500μs

td

Delay time

-

Gate current A, di/dt=40A/μs,

Vd=0.67%VDRM, TJ=25 oC

Térmica y mecánica

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

Tj

Operating temperature

-40~125

oC

 

Tstg

Storage temperature

-40~125

oC

 

R th (j-c)

Thermal resistance - junction to case

0.085

oC/W

DC operation Single sided cooled

R th (c-s)

Thermal resistance - case to sink

-

oC/W

Single sided cooled

P

Mounting force

-

Nm

± 10 %

W

Weight

440

g

about


CONTORNO

YZPST-T171-320-10


PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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Fax:86-514-87782297

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Email:info@yzpst.com

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