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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Dispositivo ensamblado a presión Tiristor de alta potencia 4500V
Dispositivo ensamblado a presión Tiristor de alta potencia 4500V
Dispositivo ensamblado a presión Tiristor de alta potencia 4500V
Dispositivo ensamblado a presión Tiristor de alta potencia 4500V

Dispositivo ensamblado a presión Tiristor de alta potencia 4500V

Precio unitario: USD 310 - 410 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-R3708FC45V

    VRRM: 4500V

    VDRM: 4500V

    VRSM: 4600V

    IRRM / IDRM: 200mA

    DV/dt: 200 V/μsec

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 1000

    Certificados : ISO9000

    HS-Code: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE

YZPST-R3708FC45V

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de compuerta amplificadora lineal

. Capacidad de bloqueo de hasta 4500 voltios

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

Bloqueo - Estado desactivado



Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

R3708FC45

4500

4500

4600


V RRM = Voltaje inverso pico repetitivo


V DRM


= Re p Etiti v e p EAK o ff estado vo lta g e

V RSM = N o n re p etiti v e p eak re v erse vo lta g e ( 2 )

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 Vsec

Conducción - en estado


forma de onda a 80% clasificado V DRM . portón abierto. Tj = 125 o C.

(5) No repetitivo valor.

(6) los valor de di / dt está establecido en De acuerdo con EIA / NIMA Estándar RS-397, Sección

5-2-2-6. E l valor definido haría ser en adición a ese adquirido de una amortiguador circuito, co m p creciente una 0.2 0.2 μ F condensador y 20 oh m s resistencia en paralela con el thristor bajo prueba.


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

3708

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

7364

 

A

TS=25oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

50000

 

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

12.5x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

 

1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

 

450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

 

2.1

 

V

ITM = 4000 A; Duty cpstcle 0.01% Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

di/dt

 

 

250

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

di/dt

 

 

100

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V

ELÉCTRICO CARACTERISTICAS Y CLASIFICACIONES R3708FC45 - Po w er Th y RISTOR

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA mA mA

VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

 

0.30

5

3

 

V V V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V

 

D y namic

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

 

2.5

μs

ITM = 50 A; VD = 1500 V

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms;

tr = 0.1 μs; tp = 20 μs

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

 

250

μs

ITM =4000 A; di/dt = 60 As;

VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20

V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us

Reverse recovery current

Irr

 

 

 

A

ITM =4000 A; di/dt = 60 As; VR =100 V


TÉRMICO Y MECÁNICO CARACTERISTICAS Y Clasificaciones

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+140

 

oC

 

Thermal resistance - junction to sink

RΘ (j-s)

 

0.0075

0.0150

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

98

113

 

kN

 

Weight

W

 

 

2.7

Kg.

 

* * Montaje superficies s m Ooth, plano y engrasado

C458pb Thyristor

Sym

A

B

C

E

Inches

3.9 3

5.90

5.15

1.37

mm

100

150

131

35±1.0



PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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Fax:86-514-87782297

Móvil:+8613805278321Contact me with Whatsapp

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