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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Controlador de tiristor certificado 5200V bv
Controlador de tiristor certificado 5200V bv
Controlador de tiristor certificado 5200V bv
Controlador de tiristor certificado 5200V bv

Controlador de tiristor certificado 5200V bv

Precio unitario: USD 400 - 650 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-5STP34N5200

    Tipo: Semiconductor intrínseco

    VRRM: 5200V

    VDRM: 5200V

    VRSM: 5300V

    DV/dt: 2000 V/sec

    IT(AV)M: 3600A

    ITRMS: 5850A

    TJ: -40-+125℃

    Tstg: -40-+140℃

Información adicional

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA CONTROL DE FASE

YZPST-5STP34N5200



caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de compuerta de amplificación central

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

Bloqueo - Estado desactivado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

5200

5200

5300

V RRM = voltaje inverso de pico repetitivo

V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

30 mA

95mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

2000 V/msec

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. Average value of on-state current

IT(AV)M

 

3600

 

A

Sinewave,180o conduction TC = 70 oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

5850

 

A

Nominal value

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

ITSM

 

63

 

kA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

19.8×103

 

kA2s

Latching current

IL

 

500

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

125

 

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.54

 

V

ITM =3000 A; Tvj=125

Threshold voltage

VTO

 

1.03

 

V

Tvj=125

Slope resistance

Rt

 

0.16

 

mΩ

Tvj=125

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1500 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1500 V

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES (cont.)

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

-

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

7

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

10

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

400

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

 

-

2.6

-

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

10

 

V

 

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

 

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

700

 

ms

ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/ms;

VR ³200 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 67% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cpstcle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

5200

 

mAs

ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/ms;

VR ³200 V

* Para máximo garantizado valor, póngase en contacto con la fábrica.

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+140

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

5.7

11.4

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

1

2

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

81

108

-

kN

 

Weight

W

-

-

2.9

Kg

 

* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas

Nota: para el esquema y las dimensiones del caso, vea el dibujo del esquema del caso en la última página de esta Información técnica

THYRISTOR 5STP34N52 (3)


Sym

A

B

C

D

H

mm

150

100

108

3.5×3

35±1




PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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Número de Teléfono:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Móvil:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Email:info@yzpst.com

Dirección: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

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