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Alta capacidad dV / dt Tiristor de alta potencia 1600V para aplicaciones de control de fase

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Alta capacidad dV / dt Tiristor de alta potencia 1600V para aplicaciones de control de fase

Precio unitario:

USD 125 - 165 / Piece/Pieces

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L/C,T/T,Paypal

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FOB,CFR,CIF

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1 Piece/Pieces

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30 días

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Información básica

Modelo: YZPST-R3559TD16K

Información adicional

Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad: 100

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 1000

Certificados : ISO9000

HS-Code: 85413000

Hafen: SHANGHAI

DDescripción

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE

tiristor de alta potencia YZPST-R3559TD16K

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de puerta amplificadora interdigitada

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

Bloqueo - Estado desactivado

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
R3559TD16K	1600	1600	1700

V _RRM = voltaje inverso de pico repetitivo

V _DRM = voltaje repetitivo del estado de pico apagado

V _RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

20 mA

150 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 ^o C a menos que

se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 ^o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 ^o C.

(4) Valor mínimo para lineal y exponencial

forma de onda al 80% nominal V _DRM . Puerta abierta.

Tj = 125 ^o C.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con

con EIA / NIMA Standard RS-397, Sección

5-2-2-6. El valor definido sería adicional

ción a la obtenida de un circuito amortiguador,

que comprende un condensador de 0.2 mF y 20 ohmios

resistencia en paralelo con el thristor debajo

prueba.

Conducción - en estado

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		3500		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=70^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		7000		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		42000 38000		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		7.5x10⁶		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		1000		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		500		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		1.95		V	I_TM = 5000 A; Tj = 125 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		800		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		300		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		200		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		20		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300 200 125		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT	0.30	5 4		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		20		V