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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Lista de Productos
Modelo: YZPST-R3559TD16K
Marca: YZPST
Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
productividad: 100
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: China
Capacidad de suministro: 1000
Certificados : ISO9000
HS-Code: 85413000
Hafen: SHANGHAI
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días
TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE
tiristor de alta potencia YZPST-R3559TD16K
caracteristicas:
. Toda estructura difusa
. Configuración de puerta amplificadora interdigitada
. Máximo tiempo de apagado garantizado
. Alta capacidad dV / dt
. Dispositivo ensamblado a presión
Bloqueo - Estado desactivado
|
Device Type |
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
|
R3559TD16K |
1600 |
1600 |
1700 |
V RRM = voltaje inverso de pico repetitivo
V DRM = voltaje repetitivo del estado de pico apagado
V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)
|
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
20 mA 150 mA (3) |
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Notas:
Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que
se indique lo contrario.
(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un
Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el
rango de temperatura -40 a +125 o C.
(2) 10 ms. max. ancho de pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.
(4) Valor mínimo para lineal y exponencial
forma de onda al 80% nominal V DRM . Puerta abierta.
Tj = 125 o C.
(5) Valor no repetitivo.
(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con
con EIA / NIMA Standard RS-397, Sección
5-2-2-6. El valor definido sería adicional
ción a la obtenida de un circuito amortiguador,
que comprende un condensador de 0.2 mF y 20 ohmios
resistencia en paralelo con el thristor debajo
prueba.
Conducción - en estado
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
3500 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=70oC |
|
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
7000 |
|
A |
Nominal value |
|
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
42000
38000 |
|
A
A |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
|
I square t |
I2t |
|
7.5x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
|
Latching current |
IL |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
|
Holding current |
IH |
|
500 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
|
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.95 |
|
V |
ITM = 5000 A; Tj = 125 oC |
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
800 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
|
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
300 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Gating
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
200 |
|
W |
tp = 40 us |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
|
Peak gate current |
IGM |
|
20 |
|
A |
|
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 200 125 |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
0.30 |
5 4
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
|
Peak negative voltage |
VGRM |
|
20 |
|
V |
|
tiristor para aplicaciones de control de fase
Tiristor dV / dt alto
PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase
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Mr. John chang
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