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Alta capacidad dV / dt Tiristor de alta potencia 1600V para aplicaciones de control de fase
Alta capacidad dV / dt Tiristor de alta potencia 1600V para aplicaciones de control de fase
Alta capacidad dV / dt Tiristor de alta potencia 1600V para aplicaciones de control de fase

Alta capacidad dV / dt Tiristor de alta potencia 1600V para aplicaciones de control de fase

Precio unitario: USD 125 - 165 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-R3559TD16K

    VRRM: 1600V

    VDRM: 1600V

    VRSM: 1700V

    IRRM / IDRM: 20mA/150mA

    DV/dt: 1000V/μsec

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 1000

    Certificados : ISO9000

    HS-Code: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE

tiristor de alta potencia YZPST-R3559TD16K

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de puerta amplificadora interdigitada

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

Bloqueo - Estado desactivado

Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

R3559TD16K

  1600

  1600

  1700

V RRM = voltaje inverso de pico repetitivo

V DRM = voltaje repetitivo del estado de pico apagado

V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

20 mA

150 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que

se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para lineal y exponencial

forma de onda al 80% nominal V DRM . Puerta abierta.

Tj = 125 o C.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con

con EIA / NIMA Standard RS-397, Sección

5-2-2-6. El valor definido sería adicional

ción a la obtenida de un circuito amortiguador,

que comprende un condensador de 0.2 mF y 20 ohmios

resistencia en paralelo con el thristor debajo

prueba.

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  3500

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

  7000

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

42000

   

38000

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

7.5x106

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

    1000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     500

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

     1.95

 

V

ITM = 5000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

      800

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

      300

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

20

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

0.30

5

4

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

20

 

V

Tiristor de alta potencia de 1600V

tiristor para aplicaciones de control de fase

Tiristor dV / dt alto


PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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