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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Home > Lista de Productos > Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase > Tiristor de alta potencia de 2800 V para convertidor de potencia

Tiristor de alta potencia de 2800 V para convertidor de potencia

  • $155
    1-199
    Bag/Bags
  • $105
    ≥200
    Bag/Bags
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L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1 Bag/Bags
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30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-5STP24L2800

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

transporteOcean,Air

Lugar de origenCHINA

Certificados ISO9000

HafenSHANGHAI

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Control de fase de tiristores de alta potencia

YZPST-5STP24L2800

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA FUNCIONES Y APLICACIONES DE CONTROL DE FASES

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de puerta amplificadora interdigitada

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión


YZPST-5STP24L2800-1

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

 

IT(AV)M

 

 

2400

 

 

A

Sinewave,180o

conduction,T =85oC

c

RMS value of on-state current

ITRMSM

 

4120

 

A

Nominal value

 

 

 

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

 

 

 

ITSM

 

 

 

46

 

43

 

 

 

kA

 

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o  conduction, T = 125

j

oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o  conduction, T = 125

j

oC

I square t

I2t

 

8.7x106

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

200

 

mA

VD  = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

75

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.35

 

V

I  = 3000 A; T = 125 oC

TM  j

Threshold vlotage

VT0

 

0.85

 

V

 

Slope resistance

rT

 

0.16

 

m

 

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

 

di/dt

 

 

300

 

 

A/  s

Switching from VDRM  1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

 

di/dt

 

 

150

 

 

A/  s

 

Switching from VDRM  1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

-

 

W

 

 

Average gate power dissipation

 

PG(AV)

 

 

-

 

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

 

IGT

 

 

400

 

 

mA

V   = 10 V;I =3A;T = +25 oC

D  T  j

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

 

2.6

 

 

V

 

V   = 10 V;I =3A;T = +25 oC

D  T  j

 

Peak negative voltage

 

VRGM

 

 

-

 

 

V


Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

 

3

-

s

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

 

-

-

 

 

Turn-off time (with VR  = -5 V)

 

tq

 

-

 

-

 

400

 

s

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

 

Reverse recovery current

 

Irm

 

 

-

 

 

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

 

Storage temperature

 

Tstg

 

-40

 

+140

 

 

oC

 

Thermal resistance - junction to

case

 

R  (j-c)

 

10

20

 

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - case to sink

 

R  (c-s)

 

2

4

 

 

K/kW

Double sided cooled * Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

 

R  (j-s)

 

-

-

 

 

K/kW

Double sided cooled * Single sided cooled *

Mounting force

F

45

60

50

kN

 

Weight

W

 

 

0.9

Kg

about

* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas

Nota: para el esquema y las dimensiones del caso, vea el dibujo del esquema del caso en la última página de esta Información técnica

contorno

YZPST-5STP24L2800-2


PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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