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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Máquina de soldadura de tiristores de poder de Yangzhou
Máquina de soldadura de tiristores de poder de Yangzhou
Máquina de soldadura de tiristores de poder de Yangzhou
Máquina de soldadura de tiristores de poder de Yangzhou
Máquina de soldadura de tiristores de poder de Yangzhou

Máquina de soldadura de tiristores de poder de Yangzhou

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-R355SH12FLO

Información adicional

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: CHINA

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción





Tiristor Interruptor rápido de alta potencia

YZPST-R355SH12FLO

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE

Características:. Tiempo máximo garantizado de apagado . Configuración de compuerta amplificadora interdigitada . Toda estructura difusa . Alta capacidad dV / dt . Dispositivo ensamblado a presión


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES



Bloqueo - Estado de apagado


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

VRRM = Voltaje de pico máximo repetitivo

VDRM = Voltaje pico de estado repetitivo

VRSM = Voltaje máximo pico no repetitivo (2)


Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

150mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 oC a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para una forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz aplicada en el rango de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 mseg. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial al 80% de VDRM. Puerta abierta. Tj = 125 oC.

(5) valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido a partir de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0,2 F y una resistencia de 20 ohm en paralelo con el thristor sometido a prueba.


Conduciendo - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1271

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

2599

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

18.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.62x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.02

V

ITM = 2000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

15

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS Y CALIFICACIONES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

25

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas

Nota: para el contorno y las dimensiones del caso, vea el dibujo del esquema del caso en la página 3 de esta Información técnica






Imágenes detalladas



Thyristor Fast High-Power Switch


PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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