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Rectificadores controlados de silicio de 800V Control de fase

Rectificadores controlados de silicio de 800V Control de fase

Precio unitario: USD 0.3 - 0.4 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 2000 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 10000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 100000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

PH ASE CONTROL SCR

YZPST-25TTS08

Descripción / Características

El 25TTS08 de rectificadores controlados con silicio está diseñado específicamente para aplicaciones de control de fase y conmutación de potencia media. La tecnología de pasivación de vidrio utilizada tiene un funcionamiento confiable hasta 125 oC de temperatura de unión.

Las aplicaciones típicas se encuentran en la rectificación de entrada (arranque suave) y estos productos están diseñados para usarse con diodos de entrada, interruptores y rectificadores de salida de International Rectifier que están disponibles en paquetes idénticos.

CLASIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Typ

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

800

 

V

Average on-state current

IT(AV)

16

A

RMS on-state current

IT(RMS)

25

A

 

Non-repetitive peak on-state current

 

ITSM

 

300

 

A

Max. Operating Junction

Temperature

 

Tj

 

110

 

oC

Storage Temperature

Tstg

-45~150

oC

1



CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Test  Conditions

 

Min

 

Typ

 

Max

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

 

-

 

800

 

-

 

V

 

Average on-state current

 

IT(AV)

 

o

 

-

 

16

 

-

 

A

 

RMS on-state current

 

IT(RMS)

 

all conduction angles

 

-

 

25

 

-

 

A

 

On-state voltage

 

VTM

 

o

 

-

 

-

 

1.25

 

V

Holding current

IH

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

100

mA

Latching current

IL

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

200

mA

 

Gate trigger current

 

IGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

45

 

mA

 

Gate trigger voltage

 

VGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

2.0

 

V


PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado de silicio (SCR)

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Número de Teléfono:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

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