Rectificadores controlados de silicio de 800V Control de fase
$0.42000-99999 Piece/Pieces
$0.3≥100000Piece/Pieces
Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Cantidad de pedido mínima: | 2000 Piece/Pieces |
transporte: | Ocean,Air |
Hafen: | SHANGHAI |
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Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Cantidad de pedido mínima: | 2000 Piece/Pieces |
transporte: | Ocean,Air |
Hafen: | SHANGHAI |
Marca: YZPST
Unidades de venta | : | Piece/Pieces |
Tipo de paquete | : | 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico |
PH ASE CONTROL SCR
YZPST-25TTS08
Descripción / Características
El 25TTS08 de rectificadores controlados con silicio está diseñado específicamente para aplicaciones de control de fase y conmutación de potencia media. La tecnología de pasivación de vidrio utilizada tiene un funcionamiento confiable hasta 125 oC de temperatura de unión.
Las aplicaciones típicas se encuentran en la rectificación de entrada (arranque suave) y estos productos están diseñados para usarse con diodos de entrada, interruptores y rectificadores de salida de International Rectifier que están disponibles en paquetes idénticos.
CLASIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta = 25 OC)
Parameter |
Symbol |
Typ |
Unit |
Repetitive peak off-state voltages |
VDRM VRRM |
800 |
V |
Average on-state current |
IT(AV) |
16 |
A |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
25 |
A |
Non-repetitive peak on-state current |
ITSM |
300 |
A |
Max. Operating Junction Temperature |
Tj |
110 |
oC |
Storage Temperature |
Tstg |
-45~150 |
oC |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta = 25 OC)
Parameter |
Symbol |
Test Conditions |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Repetitive peak off-state voltages |
VDRM VRRM |
|
- |
800 |
- |
V |
Average on-state current |
IT(AV) |
o |
- |
16 |
- |
A |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
all conduction angles |
- |
25 |
- |
A |
On-state voltage |
VTM |
o |
- |
- |
1.25 |
V |
Holding current |
IH |
VD =12 V; IGT = 0.1 A |
- |
- |
100 |
mA |
Latching current |
IL |
VD =12 V; IGT = 0.1 A |
- |
- |
200 |
mA |
Gate trigger current |
IGT |
VD =12 V; IT = 0.1 A |
- |
- |
45 |
mA |
Gate trigger voltage |
VGT |
VD =12 V; IT = 0.1 A |
- |
- |
2.0 |
V |
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