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  • Tiristor de conducción inversa FR1000AX50 de conmutación rápida RCT
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Tiristor de conducción inversa FR1000AX50 de conmutación rápida RCT

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  • $600
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FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1 Piece/Pieces
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30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-FR1000AX50

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

productividad1000

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro500

Certificados ISO9001-2008,ROHS

HS-Code85413000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días


Tiristor de conducción inversa de conmutación rápida FR1000AX50

ECA PARA APLICACIONES DE INVERSOR Y CHOPPER

2500 V DRM; 1550 A rms

YZPST-FR1000AX50

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de puerta amplificadora interdigitada

. Capacidad de bloqueo hasta 2500 voltios

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado desactivado

Device Type

VDRM (1)

VDSM (1)

FR1000AX50

2500

2500


VDRM = voltaje repetitivo de estado de pico apagado

Repetitive peak off state leakage

IDRM

 

20 mA

80mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

700 V/msec


Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que

se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para lineal y exponencial

forma de onda al 80% nominal V DRM . Puerta abierta.

Tj = 125 o C.

(5) Valor no repetitivo.

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

 

Max.

Typ.

Units

Conditions

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1550

 

A

Nominal value

Average on-state current

IT(AV)

 

 

   

1000

 

 

A

Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

 

14000

 

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

8.2.x105

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

RNS reverse currrnt

IR(RMS)

 

630

 

A

 

Average reverse current

IR(AV)

 

    400

 

A

Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction

Peak on-state voltage

VTM

 

2.2

 

 

V

ITM=1000A Tj = 125 oC

Peak reverse voltage

VRM

 

 

4.0

 

V

IRM=1200A, Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current

di/dt

 

      300

 

A/ms

VD=1/2VDRM,ITM=800A f=60HZ IGM=1.5A,diG/dt=1.0A/us,Tj=125      

Critical rate of decrease of reverse conmmutating current

(di/dt)C

 

200

 

A/ms

ITM=4000A,tw=60us,IRM=4000A,dv/dt=700V/us,VDM=1/2VDRN,Tj=125,Saturable reactor7500v.us

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

8

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

10

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

350

 

 

mA

 

 

VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = +25 oC

 

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

 

4

 

 

 

V

 

VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = 25oC

 

Peak non- trigger voltage

VGD

 

0.2

 

V

Tj = 125 oC;VD=1/2VDRM

Dinámica

Parameter

Symbol

.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Turn-off time  

tq

 

    50

 

        

 

ms

ITM =4000 A; di1/dt = -200A/ms;

di2/dt=50A/us,IRM=500A; dV/dt =700 V/ms VDR=1250V

Tj = 125 oC;tw=60us

 

 

 

 

 

 

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thyristor part thermal resistance - junction to fin

RQ (j-f)

 

0.022

 

 

oC/W

Double sided cooled

 

Diode part thermal resistamce – junction to fin

RQ (j-f)

 

0.070

 

 

oC/W

Double sided cooled

 

Mounting force

P

 

45

 

kN

 

Weight

W

 

670

 

g

YZPST-FR1000AX50-1














PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de conducción inversa (RCT)

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