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Tiristor de conducción inversa FR1000AX50 de conmutación rápida RCT
Tiristor de conducción inversa FR1000AX50 de conmutación rápida RCT
Tiristor de conducción inversa FR1000AX50 de conmutación rápida RCT
Tiristor de conducción inversa FR1000AX50 de conmutación rápida RCT

Tiristor de conducción inversa FR1000AX50 de conmutación rápida RCT

Precio unitario: USD 1000 - 600 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-FR1000AX50

    Tipo: Semiconductor intrínseco

    Solicitud: Medición de temperatura

    VDRM: 2500V

    VDSM: 2500V

    IDRM: 20 MA 80mA

    DV/dt: 700 V/sec

    ITRMS: 1550A

    IT(AV): 1000A

    Tecnología de fabricación: Dispositivo de circuitos integrados

    Material: Compuesto Semiconductor

    Número de lote: 2010+

Información adicional

    productividad: 1000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción


Tiristor de conducción inversa de conmutación rápida FR1000AX50

ECA PARA APLICACIONES DE INVERSOR Y CHOPPER

2500 V DRM; 1550 A rms

YZPST-FR1000AX50

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de puerta amplificadora interdigitada

. Capacidad de bloqueo hasta 2500 voltios

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado desactivado

Device Type

VDRM (1)

VDSM (1)

FR1000AX50

2500

2500


VDRM = voltaje repetitivo de estado de pico apagado

Repetitive peak off state leakage

IDRM

 

20 mA

80mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

700 V/msec


Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que

se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para lineal y exponencial

forma de onda al 80% nominal V DRM . Puerta abierta.

Tj = 125 o C.

(5) Valor no repetitivo.

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

 

Max.

Typ.

Units

Conditions

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1550

 

A

Nominal value

Average on-state current

IT(AV)

 

 

   

1000

 

 

A

Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

 

14000

 

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

8.2.x105

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

RNS reverse currrnt

IR(RMS)

 

630

 

A

 

Average reverse current

IR(AV)

 

    400

 

A

Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction

Peak on-state voltage

VTM

 

2.2

 

 

V

ITM=1000A Tj = 125 oC

Peak reverse voltage

VRM

 

 

4.0

 

V

IRM=1200A, Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current

di/dt

 

      300

 

A/ms

VD=1/2VDRM,ITM=800A f=60HZ IGM=1.5A,diG/dt=1.0A/us,Tj=125      

Critical rate of decrease of reverse conmmutating current

(di/dt)C

 

200

 

A/ms

ITM=4000A,tw=60us,IRM=4000A,dv/dt=700V/us,VDM=1/2VDRN,Tj=125,Saturable reactor7500v.us

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

8

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

10

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

350

 

 

mA

 

 

VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = +25 oC

 

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

 

4

 

 

 

V

 

VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = 25oC

 

Peak non- trigger voltage

VGD

 

0.2

 

V

Tj = 125 oC;VD=1/2VDRM

Dinámica

Parameter

Symbol

.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Turn-off time  

tq

 

    50

 

        

 

ms

ITM =4000 A; di1/dt = -200A/ms;

di2/dt=50A/us,IRM=500A; dV/dt =700 V/ms VDR=1250V

Tj = 125 oC;tw=60us

 

 

 

 

 

 

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thyristor part thermal resistance - junction to fin

RQ (j-f)

 

0.022

 

 

oC/W

Double sided cooled

 

Diode part thermal resistamce – junction to fin

RQ (j-f)

 

0.070

 

 

oC/W

Double sided cooled

 

Mounting force

P

 

45

 

kN

 

Weight

W

 

670

 

g

YZPST-FR1000AX50-1














PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor conductor inverso (RCT)

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Fax:86-514-87782297

Móvil:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Email:info@yzpst.com

Dirección: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

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