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Optimizado para bajas pérdidas dinámicas tiristor RCT 2000V.

    Precio unitario: USD 360 / Piece/Pieces
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    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Cantidad de pedido mínima: 20 Piece/Pieces
    Plazo de entrega: 30 días

Información básica

Modelo: YZPST-KT50BT-5STR03T2040

Tipo: Semiconductor intrínseco

Información adicional

Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad: 100

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85413000

Hafen: Shanghai

DDescripción

TIRISTORES DE CONDUCTA INVERSA

YZPST-KT50BT-5STR03T2040

caracteristicas:
. Diodo de rueda libre integrado
. Optimizado para bajas pérdidas dinámicas.

Bloqueo - Estado apagado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

2000

2100


V RRM = Voltaje de reversa pico repetitivo

V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V RSM = Voltaje máximo inverso no repetitivo (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas las calificaciones se especifican para Tj = 25 oC a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un aplicado

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre la

Rango de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 mseg. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% VDRM nominal. Puerta abierta. Tj = 125 oC.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con la norma EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería además del obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 F y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el tiristor bajo prueba.

ondulación - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

IF(AV)M

360

223

A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

566

351

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

IFSM

  

5000

3500

A

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

125x103

61x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

500

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

100

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

VFM

2.61

3.42

V

ITM = 1000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

-

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

25

A

Gate current required to trigger all units

IGT

400

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

2.5

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

2

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

40

-

ms

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us                                         

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIÓN TÉRMICA Y MECÁNICA

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+120

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

RQ (j-c)D

55

140

88

165

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

10

20

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

F

8

12

-

kN

Weight

W

-

Kg

* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas.

Nota: para el esquema y las dimensiones del caso, consulte el dibujo del esquema del caso en la página 3 de estos Datos técnicos


REVERSE CONDUCTING THYRISTORS


Sym

A

B

C

D

H

mm

68

45

62

3.5×3

20±1

PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor conductor inverso (RCT)

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  • Optimizado para bajas pérdidas dinámicas tiristor RCT 2000V.
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