Lista de Productos

Home > Lista de Productos > Paquete de plástico semiconductor > Diodo de paquete de plástico > Capacidad de corriente de pulso de pico alto 4.5V SOD-323 paquete ESD

PRODUCT CATEGORIES

Capacidad de corriente de pulso de pico alto 4.5V SOD-323 paquete ESD

View the big picture

Capacidad de corriente de pulso de pico alto 4.5V SOD-323 paquete ESD

Precio unitario:

USD 0.1 - 0.5 / Piece/Pieces

Tipo de Pago:

L/C,T/T,Paypal

Incoterm:

FOB,CFR,CIF

Cantidad de pedido mínima:

1000 Piece/Pieces

Plazo de entrega:

30 días

Contactar ahora

Añadir al carrito Chatear Ahora

Descargar:

Información básica

Modelo: YZPST-ESD4V5S1BBA

Información adicional

Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad: 10000

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 10000

Certificados : ISO9001-2015,ROHS

HS-Code: 85411000

Hafen: Shanghai

DDescripción

YZPST-ESD3V3S1BBA

Caracteristicas

 Pequeño paquete SOD-323

 Protege un dato o línea de alimentación

 Voltaje de funcionamiento: 4.5V

 Alta capacidad de corriente de pulso pico

 Tensión de sujeción ultra baja

 Cumple con los siguientes estándares:

Prueba de inmunidad IEC 61000-4-2 (ESD)

Descarga de aire: ± 30kV

Descarga de contacto: ± 30kV

IEC61000-4-5 (Rayo) 130A (8 / 20μs)

 Cumple con RoHS

Aplicaciones

 Teléfonos móviles y accesorios

 Protección de batería

 Protección de la fuente de alimentación

 Aplicaciones portátiles portátiles

 Periféricos

Clasificaciones máximas absolutas (TA = 25 ℃, HR = 45% -75%, a menos que se indique lo contrario)

Parameter	Symbol	Value	Unit
Peak Pulse Power (8/20μs)	PPK	2200	W
Peak Pulse Current (tp=8/20μs)	IPP	130	A
ESD per IEC 61000-4-2 (Air) ESD per IEC 61000-4-2 (Contact)	VESD	±30 ±30	KV
Operating temperature range	TJ	-55 to +125	℃
Storage temperature range	TSTG	-55 to +150	℃

Características electrónicas (TA = 25 ℃, continuación)

Symbol	Parameter	Conditons	Min.	Typ.	Max.	Units
VRWM	Reverse Working Voltage		-4.5		4.5	V
VBR	Reverse Breakdown Voltage	IT=1mA	4.7			V
IR	Reverse Leakage Current	VRWM=±4.5V			1.0	μA
VC	Clamping Voltage	IPP=1A, tp=8/20μs		5.8		V
		IPP=20A, tp=8/20μs		6.5		V
		IPP=130A, tp=8/20μs		10	17	V
CJ	Junction Capacitance	VR=0V, f=1MHz		380		pF

Características electricas

Symbol	Parameter
VRWM	Reverse Standoff Voltage
IR	Max Reverse Leakage Current @ VRWM
VBR	Breakdown Voltage @ IT
IT	Test Current
VC	Clamping Voltage @ IPP
IPP	Max Peak Pulse Current
RDYN	Dynamic Resistance