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Diodos de alto voltaje de YZPST-HVP-12
Diodos de alto voltaje de YZPST-HVP-12
Diodos de alto voltaje de YZPST-HVP-12
Diodos de alto voltaje de YZPST-HVP-12

Diodos de alto voltaje de YZPST-HVP-12

Precio unitario: USD 1.1 - 1.5 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 10 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-HVP-12

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Trenza

    productividad: 100000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 1000000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    HS-Code: 85411000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

Diodo de alto voltaje de HVP-12


1.Ma i n Spec i f i ca TI sobre

 


  No.

 


Item

 


Symbol

 


 Unit

 


Rating

 


Conditions

 

 

1

 

              

            RepetitivPeak Reverse Voltage

 

 

VRRM

 

 

KV

 

 

16


 

 

 

2

 

 

            

  AveragForwarCurrent

 

 

IF (AV)

 

 

mA

 

 

750

          

        

                  Tamb=60 oC

50HZ Sine-half Wave

Rectification Average Value

 

 

     3

 

 

           Forward Surge Current

 

 

IFSM

 

 

A

 

 

50

 

                   Tamb=25 oC

50HZ Sine-half Wave,OnShot

 

 

4

 

        Reverse Surge Current

 

 

IRSM

 

 

μA   

 

 

5

  

       

Pulse width 1mtrianglwave single pulse

 

 

5

 

                 

   Maximum Junction Temperature

 

 

 

 

Tjmax

 

 

oC

 

 

120


 

6

 

Storage Temperature

 

Tstg

 

oC

 

-40~+120


2. E l ec t r i c S PEC i f i ca TI sobre


NO.

 

Item

 

Symbol

 

   Unit

 

   Rating

 

Test conditions

 

1

 

              ForwarVoltage Drop

 

VFM

 

V

 

  18

 

IF(AV)=750mA

 

2

 

      Normal TemperaturReverse Current

 

IRM1

 

μA

 

  5

 

VRM=16KV

 

3

 

      High TemperaturReverse Current

 

IRM2

 

μA

 

   50

Tamb=100oC

VRM=16KV

 

4

 

        Reverse Breakdown Voltage

 

VZ

 

KV

 

       16

 

            IR=750mA

 

5

 

            Reverse Recovery Time

 

trr

 

nS

 

     -

 

 IF=IR=200mA, 90%

(Tamb = 25 oC, a menos que se especifique lo contrario)

3. Un pp li ca TI sobre

Equipo de secado por microondas industrial, potencia de alta frecuencia, potencia de la máquina de sellado térmico de alta frecuencia por ultrasonido, rectificador de potencia de otros dispositivos electrónicos.

4.D e ra ti ng o d e P o r w a rd C u rrent


YZPST-HVP-12-2

Temperatura ambiente ℃

5. D i m ens i ons (i n mm))

YZPST-HVP-12-3

L

77

B

20

H

20

Notethe appearance Figure 1,Figure2 two to choose from,please confirm!



PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Diodo de paquete de plástico

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John chang

Mr. John chang

Número de Teléfono:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

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