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Diodo de alto voltaje de alta frecuencia de 10KV
Diodo de alto voltaje de alta frecuencia de 10KV
Diodo de alto voltaje de alta frecuencia de 10KV

Diodo de alto voltaje de alta frecuencia de 10KV

Precio unitario: USD 0.9 - 1.25 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 100000 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-HV37-10F

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. trenza

    productividad: 10000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 100000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85411000

    Hafen: Shanghai

DDescripción


Diodo de alta frecuencia y alto voltaje

YZPST-HV37-10F

Diodo de alto voltaje de alta frecuencia de 8KV 200mA


Caracteristicas

1. Temperatura de unión alta de hasta 130 ℃

2. Baja caída de tensión directa y pequeña fuga de corriente

3. Protección contra averías de avalanchas

4.Max tiempo de recuperación inversa a 70nS

5. Excelentes propiedades contra el impacto de sobretensión de AT

6. Cables conductores axiales que son soldables

7. Paquete de epoxy con propiedades anticorrosivas en la superficie.

Solicitud

• Rectificación para horno microondas.

• Fuentes de alimentación de microondas industriales.

• fuente de rayos X HF

• fuente de alimentación láser

• Circuitos multiplicadores de voltaje.

• Rectificación de fuentes de alimentación para otros dispositivos electrónicos.

1.Especificación principal

No.

 

Item

 

Symbol

 

Unit

 

Rating

 

Conditions

 

 

1

 

 

Repetitive Peak Reverse Voltage

 

VRRM

 

KV

 

 

10

 

 

 

 

2

 

 

 

Average Forward Current

 

 

IF (AV)

 

 

mA

 

 

200

Tamb=60 oC

 

50HZ Sine-half Wave

 

Rectification Average Value

 

 

 

3

 

 

Forward Surge Current

 

 

IFSM

 

 

A

 

 

 

15

Tamb=25 oC

 

50HZ Sine-half Wave,One Shot

 

 

4

 

 

Reverse Surge Current

 

 

IRSM

 

μA

 

 

5

 

 

5

 

Maximum Junction Temperature

 

Tjmax

 

oC

 

130

 

 

6

 

 

Storage Temperature

 

Tstg

 

oC

 

-40~+130

2. Especificación eléctrica

 

NO.

 

Item

 

Symbol

Unit

 

Rating

 

Test conditions

 

1

 

Forward Voltage Drop

 

VFM

 

V

 

18max

 

IFM=200mA

 

2

 

 

Normal Temperature Reverse Current

 

IRM1

 

μA

 

5max

 

VRM=8KV

3

 

 

High Temperature Reverse Current

 

IRM2

 

μA

 

5max

Tamb=100oC VRM=8KV

 

4

 

 

Reverse Breakdown Voltage

 

VZ

 

KV

 

8

 

IR=200mA

 

5

 

 

Reverse Recovery Time

 

trr

 

nS

 

70

 

IF=2mA, IRM=4mA  90%



(Tamb = 25 oC, a menos que se especifique lo contrario)

3. Solicitud

Para rectificación de alto voltaje;

4. Reducción de la corriente directa

YZPST-HV37-10F-1



5.Dimensiones (en mm))

YZPST-HV37-10F-2




PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Diodo de paquete de plástico

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Número de Teléfono:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

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