YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Tiristor de potencia de promoción con el mejor precio 1200V
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ModeloYZPST-R1271NS12C

MarcaYzpst

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Descripción


Tiristores de alta potencia para la promoción

YZPST-R1271NS12C

Tiristor de alta potencia para aplicaciones de control de fase


Power tiristores de características : . Toda la estructura difusa . Tiempo de apagado máximo garantizado . Configuración de la puerta de amplificación interdigitada

. Alta capacidad DV/DT . Dispositivo ensamblado por presión


Características y calificaciones eléctricas


Bloqueo - Estado fuera de

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM = Voltaje reverso de pico repetitivo

V DRM = Pico repetitivo de voltaje de estado

V RSM = voltaje de reverso de pico no repetitivo (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

150mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Notas:

Todas las calificaciones se especifican para TJ = 25 OC a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para una forma de onda sinusoidal aplicada de 50Hz/60ZHz sobre el rango de temperatura -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. Max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para TJ = 125 OC.

(4) Valor mínimo para Waveshape lineal y exponencial a VDRM con calificación de 80%. Puerta abierta. TJ = 125 OC.

(5) valor no repetitivo.

(6) El valor de DI/DT se establece de acuerdo con el estándar EIA/NIMA RS-397, Sección 5-2-2-2-6. El valor definido sería además del obtenido de un circuito UBBER, que comprende un condensador de 0.2 F y 20 ohmsistancia en paralelo con el thristor bajo prueba.


Conducción - En estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1271

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

2599

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

18.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.62x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.02

V

ITM = 2000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Ratero

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

15

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

Características y calificaciones térmicas y mecánicas

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

25

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas

Nota: Para el esquema y las dimensiones del caso, consulte el dibujo del esquema del caso en la página 3 de estos datos técnicos




Imágenes detalladas



Promotion Power Thyristor

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