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Mr. John chang
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| Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
|---|---|
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Plazo de entrega: | 30 días |
Información básica
Modelo: YZPST-KK2000A2000V
Información adicional
Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
productividad: 100
Marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: China
Capacidad de suministro: 1000
Certificados : ISO9000
HS-Code: 85413000
Hafen: SHANGHAI
DDescripción
TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA CONTROL DE FASE
YZPST-KK2000A2000V
caracteristicas:
. Toda la estructura difusa
. Configuración de la puerta de amplificación central
. Tiempo máximo de apagado garantizado
. Alta capacidad dV / dt
. Dispositivo ensamblado a presión
Notas:
Todas las calificaciones están especificadas para Tj = 25 oC a menos que
se indique lo contrario.
(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un aplicado
Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre la
Rango de temperatura de -40 a +125 oC.
(2) 10 mseg. max. ancho de pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.
(4) Valor mínimo para lineal y exponencial.
Forma de onda al 80% de VDRM. Puerta abierta.
Tj = 125 oC.
(5) Valor no repetitivo.
(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con
con EIA / NIMA Estándar RS-397, Sección
5-2-2-6. El valor definido sería adicionalmente.
ción a la obtenida a partir de un circuito amortiguador,
que comprende un condensador de 0.2 F y 20 ohmios
resistencia en paralelo con el thristor bajo
prueba.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.
Bloqueo - Estado apagado
|
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
|
2000 |
2000 |
2100 |
V RRM = Voltaje de reversa pico repetitivo
V DRM = Voltaje de estado de apagado pico repetitivo
V RSM = Voltaje máximo inverso no repetitivo (2)
|
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
15 mA 65 mA (3) |
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
500 V/msec |
Conduciendo - en estado
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
2000 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
|
RMS value of on-state current |
ITRMSM |
|
3140 |
|
A |
Nominal value |
|
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
14.6 |
|
KA
KA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
|
I square t |
I2t |
|
1.06x106 |
|
A2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
|
Latching current |
IL |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
|
Holding current |
IH |
|
500 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
|
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.6 |
|
V |
ITM = 4000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =25 oC |
|
Threshold vlotage |
VT0 |
|
- |
|
V |
|
|
Slope resistance |
rT |
|
- |
|
mΩ |
|
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
800 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
|
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.
Gating
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
200 |
|
W |
tp = 40 us |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
|
Peak gate current |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 150 - |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 3 -
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
|
Peak negative voltage |
VGRM |
|
5 |
|
V |
|
Dinámica
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Delay time |
td |
|
1.5 |
0.7 |
ms |
ITM =50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
|
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
35 |
|
ms |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
|
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
400 |
mC |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V |
* Para garantizado max. Valor, contacte con la fábrica.
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS Y CALIFICACIONES.
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
23 45 |
|
oC/KW |
Double sided cooled Single sided cooled |
|
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
10 20 |
|
oC/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
|
Mounting force |
P |
24.5 |
26.7 |
|
kN |
|
|
Weight |
W |
|
|
460 |
g |
About |
* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas.
ESQUEMA Y DIMENSIONES DEL CASO
|
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
|
mm |
75 |
47 |
66 |
3.5×3 |
26±1 |
PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase
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