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Inversor de potencia de frecuencia tiristor r1275
Inversor de potencia de frecuencia tiristor r1275
Inversor de potencia de frecuencia tiristor r1275

Inversor de potencia de frecuencia tiristor r1275

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días
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Información básica

    Modelo: YZPST-R1275NS21L

Información adicional

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 1000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

Inversor de tiristor de alta potencia

YZPST-R1275NS21L

APLICACIONES del inversor de tiristor de alta potencia, PSTR1275NS21L Características del tiristor de inversor de potencia R1275: Configuración de compuerta de amplificación interdigitada . Alta capacidad dV / dt . Dispositivo ensamblado a presión. Toda la estructura difusa, máximo tiempo de apagado garantizado.


High Power Thyristor Inverter

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  1275


A

Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

  1870


A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

21400


18900

 

A


A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

2.66x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

     1000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     500

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM


     1.90


V

ITM = 2000 A; Duty cPSTCle £ 0.01%

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt


      1000


A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive


Gating


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200


W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W


Peak gate current

IGM

 

10

 

A


Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

150

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units



VGT

 

 

0.30

5

3


 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM


5


V




Dinámica


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

    1.5

0.7

ms

ITM = 500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

    40


 

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 200 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

      *

2000

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;VR³ -50 V

* Para garantizado max. Valor, contacte con la fábrica.


CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS Y CALIFICACIONES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125


oC


Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC


Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)


0.023

0.046

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (j-c)


0.010

0.020

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

19.5

21

 

kN


* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas.

Nota: para el esquema y las dimensiones del caso, consulte el dibujo del esquema del caso en la página 3 de estos Datos técnicos


Dibujo de esquema

High Power Thyristor Inverter High Power Thyristor Inverter






Power Inverter Thyristor r1275

Power Inverter Thyristor r1275


PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor

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