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2000V tiristores kk tiristores tecnicos rápidos

2000V tiristores kk tiristores tecnicos rápidos

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-KK2000A2000V-1

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 1000

    Certificados : ISO9000

    HS-Code: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA CONTROL DE FASE

YZPST-KK2000A2000V


caracteristicas:

. Toda la estructura difusa

. Configuración de la puerta de amplificación central

. Tiempo máximo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

Notas:

Todas las calificaciones están especificadas para Tj = 25 oC a menos que

se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un aplicado

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre la

Rango de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 mseg. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para lineal y exponencial.

Forma de onda al 80% de VDRM. Puerta abierta.

Tj = 125 oC.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con

con EIA / NIMA Estándar RS-397, Sección

5-2-2-6. El valor definido sería adicionalmente.

ción a la obtenida a partir de un circuito amortiguador,

que comprende un condensador de 0.2 F y 20 ohmios

resistencia en paralelo con el thristor bajo

prueba.


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.

Bloqueo - Estado apagado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

  2000

 2100

V RRM = Voltaje de reversa pico repetitivo

V DRM = Voltaje de estado de apagado pico repetitivo

V RSM = Voltaje máximo inverso no repetitivo (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

65 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

500 V/msec



Conduciendo - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

2000

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

3140

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

14.6

KA

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.06x106

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

1000

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

500

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.6

V

ITM = 4000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =25 oC

Threshold vlotage

VT0

-

V

Slope resistance

rT

-

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

800

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

200

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

10

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

150

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1.5

0.7

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

35

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

*

400

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Para garantizado max. Valor, contacte con la fábrica.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS Y CALIFICACIONES.

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

23

45

oC/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

10

20

oC/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

24.5

26.7

kN

Weight

W

460

g

About

* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas.


ESQUEMA Y DIMENSIONES DEL CASO

C458PB thyristor

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1


PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor

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